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公开(公告)号：CN106603053A
公开(公告)日：2017-04-26
申请号：CN201611069002.1
申请日：2016-11-28
申请人： 无锡中普微电子有限公司
IPC分类号： H03K17/687
CPC分类号： H03K17/687
摘要： 本发明揭露了一种具有改进偏置电路的射频开关电路，其包括：第一射频端、第二射频端、第一电容、第二电容；射频开关，其包括源极、漏极、栅极以及体端，源极经过第一电容与第一射频端耦接，漏极经过第二电容与第二射频端耦接，偏置电路，其基于电池电压提供第一偏置电压、第二偏置电压和第三偏置电压，第一偏置电压大于第二偏置电压，第二偏置电压大于第三偏置电压，其中，第二偏置电压被耦接至射频开关的源极以及漏极，在需要控制射频开关导通时，第一偏置电压被耦接至射频开关的栅极，第二偏置电压被耦接至射频开关的体端，在需要控制射频开关截止时，第三偏置电压被耦接至射频开关的栅极和体端。这样可以节省芯片面积，降低成本。
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公开(公告)号：CN106788369A
公开(公告)日：2017-05-31
申请号：CN201611069003.6
申请日：2016-11-28
申请人： 无锡中普微电子有限公司
IPC分类号： H03K17/687
CPC分类号： H03K17/687
摘要： 本发明揭露了一种具有改进偏置电路的射频开关电路，其包括：第一射频端、第二射频端、第一电容、第二电容；射频开关，其包括源极、漏极、栅极以及体端，源极经过第一电容与第一射频端耦接，漏极经过第二电容与第二射频端耦接，偏置电路，其基于电池电压提供第一偏置电压、第二偏置电压和第三偏置电压，第一偏置电压大于第二偏置电压，第二偏置电压大于第三偏置电压，其中，第二偏置电压被耦接至射频开关的源极以及漏极，在需要控制所述射频开关导通时，第一偏置电压被耦接至射频开关的栅极，第二偏置电压被耦接至射频开关的体端，在需要控制射频开关截止时，第三偏置电压被耦接至射频开关的栅极和体端。这样可以节省芯片面积，降低成本。
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公开(公告)号：CN103986425A
公开(公告)日：2014-08-13
申请号：CN201410182787.8
申请日：2014-04-30
申请人： 无锡中普微电子有限公司
IPC分类号： H03F3/20
摘要： 本发明提供一种基于射频直流反馈的功率放大器，其包括：功率放大电路，其输入端通过输入电容接收外部输入的射频输入信号，其对射频输入信号进行功率放大，并通过其输出端输出射频输出信号；采样电路，其采样所述功率放大电路的输出电流得到采样电流；直流转换电路，将所述采样电流转换成直流反馈电流；偏置电路，其包括提供偏置电流的偏置电流源，其基于直流反馈电流和偏置电流提供为所述功率放大电路的输入端提供偏置电压。由于建立了直流反馈环路，功率放大器的输出电流由环路增益以及偏置电流来确定，这样还可以精确的控制功率放大器的输出功率，受电源电压、温度和工艺偏差的影响较小。
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公开(公告)号：CN207588828U
公开(公告)日：2018-07-06
申请号：CN201721788522.8
申请日：2017-12-19
申请人： 无锡中普微电子有限公司
发明人： 承继
IPC分类号： H03K17/687
摘要： 本实用新型揭露了一种射频开关，其包括：衬底；电阻；形成于所述衬底内的衬底接触区，其通过所述电阻连接至接地端；和形成于衬底内的多个射频开关单元；其中每个射频开关单元包括形成于所述衬底内的深N阱区、形成于深N阱区内的P阱区、形成于深N阱区内的深N阱接触区、形成于P阱区内的间隔的N+源极区、N+漏极区和P阱接触区、位于P阱区的上方且位于N+源极区和N+漏极区之间的栅极氧化层、位于栅极氧化层上方的多晶硅栅极。本实用新型中的衬底通过一个大电阻与接地端相连，这样就阻止了交流信号泄放到地，即将衬底的交流电位悬浮，提高了射频开关的正向通路和反向通路的耐压，也提高了射频开关的最大耐受功率。
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公开(公告)号：CN203800894U
公开(公告)日：2014-08-27
申请号：CN201420222612.0
申请日：2014-04-30
申请人： 无锡中普微电子有限公司
IPC分类号： H03F3/20
摘要： 本实用新型提供一种基于射频直流反馈的功率放大器，其包括：功率放大电路，其输入端通过输入电容接收外部输入的射频输入信号，其对射频输入信号进行功率放大，并通过其输出端输出射频输出信号；采样电路，其采样所述功率放大电路的输出电流得到采样电流；直流转换电路，将所述采样电流转换成直流反馈电流；偏置电路，其包括提供偏置电流的偏置电流源，其基于直流反馈电流和偏置电流提供为所述功率放大电路的输入端提供偏置电压。由于建立了直流反馈环路，功率放大器的输出电流由环路增益以及偏置电流来确定，这样还可以精确的控制功率放大器的输出功率，受电源电压、温度和工艺偏差的影响较小。
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公开(公告)号：CN207719206U
公开(公告)日：2018-08-10
申请号：CN201721788629.2
申请日：2017-12-19
申请人： 无锡中普微电子有限公司
发明人： 承继
IPC分类号： H01L27/02
摘要： 本实用新型揭露了一种射频开关，其包括：衬底；形成于所述衬底内的衬底接触区；形成于所述衬底内的深N阱区；形成于深N阱区内的深N阱接触区；和，形成于深N阱区内的多个射频开关单元，其中每个射频开关单元包括形成于深N阱区内的P阱区、形成于P阱区内的间隔的N+源极区、N+漏极区和P阱接触区、位于P阱区的上方且位于N+源极区和N+漏极区之间的栅极氧化层、位于栅极氧化层上方的多晶硅栅极。这样，多个射频开关单元可以共用同一个深N阱区，从而减小了相邻的射频开关单元之间的间隔，同时又不会降低射频开关的耐压。
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公开(公告)号：CN207719205U
公开(公告)日：2018-08-10
申请号：CN201721788521.3
申请日：2017-12-19
申请人： 无锡中普微电子有限公司
IPC分类号： H01L27/02
摘要： 本实用新型揭露了一种射频开关，其包括：衬底；形成于所述衬底内的衬底接触区；形成于衬底内的多个射频开关单元，其中每个射频开关单元包括形成于衬底内的间隔的N+源极区和N+漏极区、位于P阱区的上方且位于N+源极区和N+漏极区之间的栅极氧化层、位于栅极氧化层上方的多晶硅栅极，所述衬底接触区与负直流电压源相连。与现有技术相比，本实用新型中的射频开关单元不设置阱区，而是将衬底与一个负电压相连，这样可以大幅降低射频开关所占的芯片面积，同时也能保证耐受功率能力仍旧能达到中小功率开关的要求。
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公开(公告)号：CN206195730U
公开(公告)日：2017-05-24
申请号：CN201621271976.3
申请日：2016-11-24
申请人： 无锡中普微电子有限公司
摘要： 本实用新型提供了一种自适应偏置射频功率放大器，其包括：前端功率放大器，对射频输入信号进行前端功率放大；中间功率放大器，对射频信号进行中间功率放大；采样电路，对所述前端功率放大器输出的经过前端放大后的射频信号进行电压采样得到采样电压；整流电路，将所述采样电压转换成直流电压；低通滤波电路，对所述直流电压进行低通滤波；电压‑电流转换电路，将经过低通滤波后的所述直流电压转化成直流电流为所述中间功率放大器的输出端提供偏置电流；第一场效应晶体管，接受经过中间功率放大后的射频信号，对所述射频信号进行放大以输出射频输出信号。本实用新型中的自适应偏置射频功率放大器的增益直接基于射频输入信号的功率大小进行动态调节。
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