本实用新型属于半导体制造设备技术领域，具体涉及一种外延沉积腔室。该腔室包括工艺腔、外室、加热装置、气体注入装置和基座支撑装置；外室由外腔体和外腔盖组成，工艺腔固设于外腔体内；加热装置包括下电阻加热板和上电阻加热板，下电阻加热板设于工艺腔下方的外腔体内；上电阻加热板设于工艺腔上方的外腔盖内；工艺腔底部前侧设有凸台，基座支撑装置设于工艺腔底部中央；气体注入装置包括若干气体喷射器，安装在凸台内。本实用新型简单易于加工制造，且不需要定期拆卸清洗，降低了制造成本和维护成本。保证了反应区气体的均匀性，提高了外延生长均匀性。