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公开(公告)号：CN109273392A
公开(公告)日：2019-01-25
申请号：CN201811046820.9
申请日：2018-09-08
申请人： 浙江求是半导体设备有限公司 , 浙江晶盛机电股份有限公司
IPC分类号： H01L21/677
摘要： 本发明涉及半导体设备制造技术领域，旨在提供一种晶片传送装置。该装置包括左上料锁定装置、右上料锁定装置和反应腔；还包括晶片传送主体，左上料锁定装置和右上料锁定装置均通过门阀设于晶片传送主体同一侧部；对侧通过门阀连接反应腔，用于对晶片进行化学气相沉积处理。本产品使用双上料锁定装置，减少换料等待时间；使用氮气吹扫来保持晶片搬运腔室的无污染环境，避免晶片在向反应腔搬运过程中带入污染物，从而提升晶片进行化学气相沉积处理效率。
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公开(公告)号：CN113846376B
公开(公告)日：2022-12-27
申请号：CN202111113173.0
申请日：2021-09-23
申请人： 浙江晶盛机电股份有限公司 , 浙江求是半导体设备有限公司
摘要： 本发明涉及半导体技术领域，特别是涉及一种外延生长装置的调温以及外延生长装置。该调温方法包括以下步骤：在衬底上选定离线测温点，在衬底和/或加热基座上选定实时测温点，离线测温点与实时测温点对应；模拟外延生长装置的工作流程，以在衬底空转的情况下获取离线测温点的温度T1以及实时测温点的温度T2；拟合温度T1和温度T2，得到温度T1和温度T2之间的映射关系函数F；获取外延生长装置正常工作流程下的实时测温点的温度T2’；根据映射关系函数F以及温度T2’，计算获得对应的离线测温点的实时温度T1’；根据实时温度T1’调节外延生长装置的加热功率。本申请的优点在于：能够获得衬底表面精确的实时温度T1’，用以精准及时的反馈调节加热功率。
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公开(公告)号：CN113652741B
公开(公告)日：2022-09-20
申请号：CN202110873786.8
申请日：2021-07-30
申请人： 浙江晶盛机电股份有限公司 , 浙江求是半导体设备有限公司
摘要： 本发明涉及半导体外延生长技术领域，特别是涉及一种外延生长装置，该外延生长装置包括至少一个托盘、加热体和至少一组线圈组件；加热体内具有工作空间，托盘位于工作空间内，线圈组件沿加热体周向围设在加热体外；每组线圈组件具有一基点，每组线圈组件包括多个独立的子线圈，多个子线圈以基点为中心由内向外扩散排布；且两两相邻的两个子线圈中，其中一个子线圈包裹另外一个子线圈。本申请中每个独立的子线圈将托盘上的区域划分为多个独立加热的子区域，每个独立的子线圈对托盘上对应的子区域进行单独加热，从而实现托盘表面温度分区可控；即可调整托盘上对应的子区域的温度，降低各个子区域之间的温度差值，以提高托盘上生长的外延层的质量。
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公开(公告)号：CN109881186A
公开(公告)日：2019-06-14
申请号：CN201910135841.6
申请日：2019-02-25
申请人： 浙江求是半导体设备有限公司 , 浙江晶盛机电股份有限公司
摘要： 本发明涉及一种辐射加热装置，具体涉及一种用于CVD设备中对衬底进行高温加热的装置。包括反应室，反应室内设置有用于支撑待处理衬底的基座；反应室外部正上方设有第一灯组，正下方设有第二灯组；基座的下方设有若干热电偶，热电偶与温度控制系统相连，灯组内的加热灯通过可控硅组件与温度控制系统相连；第一灯组的上方设有第一反射器，第二灯组的下方设有第二反射器。本发明装置提高晶片上温度的均匀性。具有变化的相对绕组密度的多个区域，从而提供了比仅仅控制红外功率输出而言更高的分辨率。
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公开(公告)号：CN109244030A
公开(公告)日：2019-01-18
申请号：CN201810741832.7
申请日：2018-07-09
申请人： 浙江晶盛机电股份有限公司 , 浙江求是半导体设备有限公司
IPC分类号： H01L21/687
摘要： 本发明涉及半导体制造设备技术领域，旨在提供一种用于外延生长装置的多功能晶片衬底基座。该基座，包括基座主体，基座主体为圆盘；基座主体上表面分为一个内区以及至少三个外区，内区呈圆形位于基座主体中心，外区呈圆形，相邻的两个外区彼此相切且均与基座主体外缘相切；内区与外区重叠区域以外的内区圆周与每个外区圆周上，分别对称设有若干内部限位块与外部限位块；基座主体下表面设有若干凹槽以及支撑件，支撑件包含有与凹槽数量相等的支撑脚，支撑脚伸入凹槽内，以实现支撑件在基座主体上的固定。利用本产品进行的加工方式保留了单片式外延生长装置生长外延层良好厚度和电阻率均匀性的优点，生长出的外延层的质量优于多片式外延生长装置。
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公开(公告)号：CN114250451B
公开(公告)日：2023-03-07
申请号：CN202110606879.4
申请日：2021-06-01
申请人： 浙江求是半导体设备有限公司 , 浙江晶盛机电股份有限公司
IPC分类号： C23C16/458
摘要： 本发明提供一种外延生长装置，包括感应线圈和反应体，所述感应线圈围设于所述反应体周侧；所述反应体包括加热座、多个托盘；所述加热座内具有多个工作空间，所述托盘位于所述工作空间内，且每个托盘对应一所述工作空间；其中，所述托盘用以承载衬底，且每个所述托盘能够独立的相对于所述加热座旋转。本申请提供的外延生长装置具有多个工作空间，可同时生成多个外延层，提高工作效率，有效提高产量；同时，通过对多个托盘的独立控制，确保每个托盘上生产的产品品质优良，且同批次中生产的产品质量一致。
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公开(公告)号：CN114250451A
公开(公告)日：2022-03-29
申请号：CN202110606879.4
申请日：2021-06-01
申请人： 浙江求是半导体设备有限公司 , 浙江晶盛机电股份有限公司
IPC分类号： C23C16/458
摘要： 本发明提供一种外延生长装置，包括感应线圈和反应体，所述感应线圈围设于所述反应体周侧；所述反应体包括加热座、多个托盘；所述加热座内具有多个工作空间，所述托盘位于所述工作空间内，且每个托盘对应一所述工作空间；其中，所述托盘用以承载衬底，且每个所述托盘能够独立的相对于所述加热座旋转。本申请提供的外延生长装置具有多个工作空间，可同时生成多个外延层，提高工作效率，有效提高产量；同时，通过对多个托盘的独立控制，确保每个托盘上生产的产品品质优良，且同批次中生产的产品质量一致。
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公开(公告)号：CN113846376A
公开(公告)日：2021-12-28
申请号：CN202111113173.0
申请日：2021-09-23
申请人： 浙江晶盛机电股份有限公司 , 浙江求是半导体设备有限公司
摘要： 本发明涉及半导体技术领域，特别是涉及一种外延生长装置的调温以及外延生长装置。该调温方法包括以下步骤：在衬底上选定离线测温点，在衬底和/或加热基座上选定实时测温点，离线测温点与实时测温点对应；模拟外延生长装置的工作流程，以在衬底空转的情况下获取离线测温点的温度T1以及实时测温点的温度T2；拟合温度T1和温度T2，得到温度T1和温度T2之间的映射关系函数F；获取外延生长装置正常工作流程下的实时测温点的温度T2’；根据映射关系函数F以及温度T2’，计算获得对应的离线测温点的实时温度T1’；根据实时温度T1’调节外延生长装置的加热功率。本申请的优点在于：能够获得衬底表面精确的实时温度T1’，用以精准及时的反馈调节加热功率。
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公开(公告)号：CN110943029A
公开(公告)日：2020-03-31
申请号：CN201911389225.X
申请日：2019-12-30
申请人： 浙江求是半导体设备有限公司 , 浙江晶盛机电股份有限公司
IPC分类号： H01L21/687
摘要： 本发明设计半导体外延设备领域，尤其涉及一种用于半导体外延系统的双环式基座。包括内环基座，内环基座主体为圆盘结构，圆盘结构下端面设有一个同轴的凸台；外环基座为圆环形结构，外环基座内缘设有台阶，内环基座上的凸台与外环基座内缘的台阶形状相匹配，使得内环基座嵌设于外环基座内；内环基座下端面通过内环支撑装置连接升降机构；外环基座下端面通过外环支撑装置连接旋转机构。本发明使衬底安放动作平稳，减少衬底安放过程中的晃动和碰撞，提高衬底安放的准确性；由外环基座带动内环基座所形成的同步匀速旋转的结构，使得衬底在加热光源的加热过程中匀速旋转，使衬底的外延生长更加均匀，同时可保证非加工面的光滑平整。
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公开(公告)号：CN110931410A
公开(公告)日：2020-03-27
申请号：CN201911213408.6
申请日：2019-12-02
申请人： 浙江求是半导体设备有限公司 , 浙江晶盛机电股份有限公司
IPC分类号： H01L21/677 , H01L21/687 , H01L21/67
摘要： 本发明涉及半导体制造设备技术领域，尤其涉及外延生长设备的一种用于反应室的晶片传动装置和传动方法。装置包括均为内部中空的方形腔体结构的反应室与搬运室，二者之间通过闸阀连通，反应室内设有晶片支撑部件，搬运室内设有机械传送部件；晶片支撑部件包括内环基座和外环基座；内环基座主体为圆盘，圆盘下端面设有同心凸台，内环基座整体纵向横截面呈T型；外环基座呈圆环型，外环基座的内圈为台阶状，内圈台阶尺寸与内环基座外缘尺寸相适配，内环基座嵌设于外环基座内。本发明还提供了一种用于反应室的晶片装置进行的传动方法。本发明操作简单，传送稳定性更好，掉片率更低，满足不同尺寸的晶片的传送需求。
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