实用新型
- 专利标题： 一种三维系统级集成硅基扇出型封装结构
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申请号： CN201921225002.5申请日： 2019-07-31
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公开(公告)号： CN210223949U公开(公告)日： 2020-03-31
- 发明人: 王成迁 , 明雪飞 , 吉勇
- 申请人： 中国电子科技集团公司第五十八研究所
- 申请人地址： 江苏省无锡市滨湖区惠河路5号
- 专利权人： 中国电子科技集团公司第五十八研究所
- 当前专利权人： 中国电子科技集团公司第五十八研究所
- 当前专利权人地址： 江苏省无锡市滨湖区惠河路5号
- 代理机构： 无锡派尔特知识产权代理事务所
- 代理商 杨立秋
- 主分类号： H01L21/60
- IPC分类号： H01L21/60 ; H01L21/768 ; H01L21/54 ; H01L21/52 ; H01L23/48 ; H01L23/485
摘要：
本实用新型公开一种三维系统级集成硅基扇出型封装结构，属于三维系统级集成电路封装领域。所述三维系统级集成硅基扇出型封装结构包括硅基，该硅基的第一面沉积有截止层；第二面刻蚀有TSV通孔和凹槽，所述TSV通孔中制作有背面第一层重布线，所述凹槽中埋有桥芯片；所述背面第一层重布线依次通过背面第二层重布线和微凸点与高密度I/O异质芯片焊接；所述硅基的第一面依次形成有正面重布线、阻焊层和凸点，所述正面重布线与所述背面第一层重布线连接。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
IPC分类:
