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公开(公告)号：CN118507412B
公开(公告)日：2024-09-27
申请号：CN202410932546.4
申请日：2024-07-12
申请人： 江南大学 , 中国电子科技集团公司第五十八研究所
IPC分类号： H01L21/68 , H01L21/60 , H01L21/67 , G06F30/20 , G06F119/14
摘要： 本发明涉及倒装芯片键合技术领域，尤其涉及一种倒装芯片键合的预对准控制方法及系统。该方法包括以下步骤：获取调平机构传感数据并进行多点位姿测量，获得调平机构多点位姿数据；获取调平机构设计数据并进行动力学仿真，获得机构动力学仿真数据；对调平机构多点位姿数据进行运动误差补偿，获得调平机构运动误差补偿位姿数据；对调平机构运动误差补偿位姿数据进行环境误差补偿，获得优化调平机构多点位姿数据；对调平机构传感数据进行运动视觉定位，从而获得定位芯片图像集；根据定位芯片图像集以及优化调平机构多点位姿数据进行倒装芯片预对准策略分析，获得芯片预对准策略，并传输至调平机构管理平台。本发明能提升预对准的鲁棒性和效率。
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公开(公告)号：CN110299294B
公开(公告)日：2024-07-30
申请号：CN201910703380.8
申请日：2019-07-31
申请人： 中国电子科技集团公司第五十八研究所
IPC分类号： H01L21/60 , H01L21/768 , H01L21/54 , H01L21/52 , H01L23/48 , H01L23/485
摘要： 本发明公开一种三维系统级集成硅基扇出型封装方法及结构，属于三维系统级集成电路封装技术领域。首先提供硅基，将其与玻璃载板键合；在所述硅基背面刻蚀出凹槽和TSV通孔，在TSV通孔中制作背面第一层重布线，在凹槽中埋入桥芯片；然后用干膜材料填充所述硅基和所述桥芯片间的空隙；在所述桥芯片的焊盘和所述背面第一层重布线的焊盘处开口并制作背面第二层重布线；接着将高密度I/O异质芯片通过微凸点与所述背面第二层重布线的焊盘焊接；塑封所述硅基背面，拆解所述玻璃载板并在所述TSV通孔处开口；制作正面重布线、阻焊层和凸点，切成单颗封装芯片，完成封装。
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公开(公告)号：CN118032935B
公开(公告)日：2024-06-07
申请号：CN202410434480.6
申请日：2024-04-11
申请人： 江南大学 , 中国电子科技集团公司第五十八研究所
IPC分类号： G01N29/04 , G01N29/44 , G01N29/46 , G06F18/10 , G06F18/213 , G06F18/241
摘要： 本发明涉及倒装芯片缺陷检测技术领域，尤其是指一种基于经验共振分解的倒装芯片缺陷检测方法及系统，包括：获取不同的倒装焊点缺陷类别的样本芯片及样本芯片的振动信号；基于经验共振分解算法对样本芯片的振动信号的傅里叶频谱进行分割，构建理想高斯滤波器组，得到滤波信号；计算样本芯片的振动能量系数，对样本芯片的缺陷类型进行分类。本发明实现了对样本芯片进行快速高效的缺陷检测，而无需人工视觉检测，节省了人力与时间，自动化程度更高，且检测结果更为客观，准确性更高。
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公开(公告)号：CN117892068B
公开(公告)日：2024-06-07
申请号：CN202410299305.0
申请日：2024-03-15
申请人： 江南大学 , 中国电子科技集团公司第五十八研究所
摘要： 本发明涉及倒装芯片超声信号去噪技术领域，尤其是指一种倒装芯片超声信号去噪方法及装置，包括：获取倒装芯片的缺陷超声回波信号；构建缺陷超声回波信号的稀疏表示模型的目标函数；构建Gabor字典作为过完备字典；对近端梯度下降算法进行深度展开，构建记忆增强深度展开网络模型，求解所述缺陷超声回波信号的稀疏表示模型的目标函数中的目标稀疏系数；基于Gabor字典，利用目标稀疏系数重构倒装芯片的缺陷超声回波信号，得到去噪后的超声回波信号。本发明在很大程度上保留了原始超声回波信号的有用信息，避免对原始超声回波信号造成失真与削弱，进而提高了利用超声回波信号检测倒装芯片缺陷的准确率。
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公开(公告)号：CN117786322A
公开(公告)日：2024-03-29
申请号：CN202311829619.9
申请日：2023-12-28
申请人： 江南大学 , 中国电子科技集团公司第五十八研究所
IPC分类号： G06F18/10 , G06F18/28 , G06N3/0464 , G06N3/0495 , G06N3/084
摘要： 本发明涉及倒装芯片振动信号去噪领域，尤其是指一种倒装芯片振动信号去噪方法及系统，所述方法包括：获取样本芯片的故障缺陷振动信号；基于所述故障缺陷振动信号，构建卷积稀疏编码去噪模型，采用局部能量熵的方式，优化卷积稀疏编码去噪模型；对优化后的模型进行多次交替迭代训练，得到最优稀疏系数及对应的卷积字典；利用所述最优稀疏系数及对应的卷积字典对含有噪声的振动信号中构建的多个信号切片使用优化后的能量熵局部重加权卷积稀疏编码模型进行去噪，重构去噪后的信号切片，得到完整的去噪后的振动信号。本发明能够有效地去除倒装芯片振动信号中的噪声，相比现有去噪方法，显著地提高了卷积字典的学习速率以及求解精度。
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公开(公告)号：CN114429938A
公开(公告)日：2022-05-03
申请号：CN202111583695.7
申请日：2021-12-22
申请人： 中国电子科技集团公司第五十八研究所
IPC分类号： H01L23/473 , H01L23/48 , H01L25/065 , H01L21/56 , H01L21/48
摘要： 本发明公开一种三维集成嵌入式微流道主动散热封装方法及结构，属于集成电路封装领域。对基板进行刻蚀填孔形成TSV铜柱并减薄制成硅基衬底；在硅基衬底上刻蚀出微流道槽和进出口通道盲孔；将微流道盖板与硅基衬底进行硅硅键合；把TSV转接芯片倒装焊接至硅基衬底上，将异构芯片与微流道盖板键合；用底填胶将TSV转接芯片的倒装焊处凸点间的缝隙填实；将倒装的TSV转接芯片和异构芯片进行灌封固化重构形成树脂晶圆片；减薄漏出TSV转接芯片的铜柱和异构芯片的凸点；在树脂晶圆片上形成多层互联再布线；对硅基衬底进行减薄；将异构芯片固定在芯片槽内，依次实现的RDL和UBM多层互联金属再布线；在UBM处植上焊球，再对三维集成硅基圆片进行划片形成最终的封装体。
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公开(公告)号：CN111128909A
公开(公告)日：2020-05-08
申请号：CN201911258671.7
申请日：2019-12-10
申请人： 中国电子科技集团公司第五十八研究所
摘要： 本发明公开一种射频系统微型封装结构及其制备方法，属于集成电路封装技术领域。射频系统微型封装结构包括依次垂直堆叠的天线层、芯片层和焊球层；天线层包括基板和制作在其顶部的天线阵元；芯片层包括环氧树脂和内部设置的裸芯片、垂直金属通道，垂直金属通道贯穿环氧树脂；芯片层的外部顶面和底面设有金属互连线结构，分别位于天线层和芯片层之间、芯片层和焊球层之间。本发明通过将天线层、芯片层和互联线等结构，使用晶圆级半导体封装工艺封装在单一微型结构中，可以有效减小射频系统体积，避免器件分散。
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公开(公告)号：CN110993596A
公开(公告)日：2020-04-10
申请号：CN201911305060.3
申请日：2019-12-17
申请人： 中国电子科技集团公司第五十八研究所
摘要： 本发明公开一种射频前端与天线一体化三维集成封装方法及结构，属于集成电路封装技术领域。提供玻璃晶圆、第一组件和第二组件，所述第一组件倒装焊接至所述玻璃晶圆的背面；包覆所述第一组件形成晶圆载体；减薄其背面至露出所述第一组件的铜柱焊盘面，并形成布线层、钝化层和球下金属层；将所述第二组件倒装焊至所述球下金属层上；在球下金属层处生长焊球凸点，在所述第二组件背面涂覆导热材料并与基板的散热金属面连接，形成最终封装体。本发明采用三维封装结构，有效实现了射频前端与天线封装的一体化和小型化。
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公开(公告)号：CN107393900B
公开(公告)日：2019-07-26
申请号：CN201710668543.4
申请日：2017-08-08
申请人： 中国电子科技集团公司第五十八研究所
IPC分类号： H01L23/498 , H01L21/48
CPC分类号： H01L2224/04105 , H01L2224/19 , H01L2224/32225 , H01L2224/73267 , H01L2224/92244 , H01L2924/15153
摘要： 本发明涉及一种转接板结构，尤其是一种极多层布线的埋置型TSV转接板结构，属于集成电路封装的技术领域。按照本发明提供的技术方案，所述极多层布线的埋置型TSV转接板结构，包括转接板体；在所述转接板体内凹设有布线转接板槽，在所述布线转接板槽内设置布线转接板，在所述布线转接板上设置有极多层布线，布线转接板通过极多层布线与转接板体上表面的转接板上再布线层电连接，所述转接板上再布线层通过填充在转接板体内通孔的填充连接体与转接板体下表面的转接板下再布线层电连接，所述转接板下再布线层上设有若干焊球，所述焊球与转接板下再布线层电连接。本发明能有效增加布线层数，实现高密度的芯片级封装以及系统封装，安全可靠。
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公开(公告)号：CN108598062A
公开(公告)日：2018-09-28
申请号：CN201810442806.4
申请日：2018-05-10
申请人： 中国电子科技集团公司第五十八研究所
IPC分类号： H01L23/498 , H01L23/488 , H01L23/49 , H01L21/60 , H01L25/00
摘要： 本发明为一种简便、高效、能满足多功能需求的三维集成封装结构，该封装结构由若干个二维结构通过TSV转接板互连。二维封装结构包括芯片、TSV转接板、再布线层、键合丝、微凸点构成，芯片倒扣焊或者粘接在TSV转接板凹槽内，在所得结构表面设有再布线层，并且通过再布线层以及TSV转接板通孔金属材料实现芯片的信号互连。本发明通过芯片凸点或者引线键合与TSV转接板互连，形成一个整体，减小了封装体积。芯片通过TSV转接板可实现多层三维集成，集成度高，工艺简单，成品率高，提高生产效率。通过在TSV转接板可实现不同功能芯片多功能、系统级三维集成。
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