实用新型
- 专利标题： 全集成硅显示器中的反向发光器件
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申请号： CN201921640968.5申请日： 2019-09-29
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公开(公告)号： CN210325840U公开(公告)日： 2020-04-14
- 发明人: 曾德贵 , 徐开凯 , 范洋 , 曾尚文 , 施宝球 , 朱煜开 , 张正元 , 赵建明 , 许栋梁 , 李建全 , 廖楠 , 徐银森
- 申请人： 广安职业技术学院 , 四川晶辉半导体有限公司 , 电子科技大学 , 成都智芯微科技有限公司 , 四川芯合利诚科技有限公司 , 四川遂宁市利普芯微电子有限公司 , 四川蓝彩电子科技有限公司 , 广东气派科技有限公司 , 重庆中科渝芯电子有限公司
- 申请人地址： 四川省广安市广安区滨江东路98号
- 专利权人： 广安职业技术学院,四川晶辉半导体有限公司,电子科技大学,成都智芯微科技有限公司,四川芯合利诚科技有限公司,四川遂宁市利普芯微电子有限公司,四川蓝彩电子科技有限公司,广东气派科技有限公司,重庆中科渝芯电子有限公司
- 当前专利权人： 广安职业技术学院,四川晶辉半导体有限公司电子科技大学成都智芯微科技有限公司四川芯合利诚科技有限公司四川遂宁市利普芯微电子有限公司四川蓝彩电子科技有限公司重庆中科渝芯电子有限公司
- 当前专利权人地址： 四川省广安市广安区滨江东路98号
- 代理机构： 石家庄科诚专利事务所
- 代理商 苏兴娟; 刘丽丽
- 主分类号： H01L33/38
- IPC分类号： H01L33/38 ; H01L33/46 ; H01L33/00 ; H01L27/15
摘要：
本实用新型公开了一种全集成硅显示器中的反向发光器件，它包括自下而上依次设置的硅衬底、发光结构、金属互联层、隔离层和金属反射层；所述发光结构嵌于硅衬底中，发光结构包括由外而内依次设置的n型阱、n+型有源区、p+型有源区、薄氧化层和多晶硅栅，n+型有源区与n型阱的内壁之间设置有场氧化层，场氧化层的外壁与硅衬底相连、内壁与n+型有源区相连。本实用新型采用了栅控二极管的结构，利用p+n结反偏引起的雪崩击穿机制进行电致发光，发光区域转移至多晶硅栅的四周，使得发光区域大大增加。本实用新型适用于全硅单片集成光电微显示器件技术领域。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
IPC分类:
