公开(公告)号：CN110635008A

公开(公告)日：2019-12-31

申请号：CN201910932154.7

申请日：2019-09-29

申请人： 电子科技大学 ,  四川晶辉半导体有限公司 ,  广安职业技术学院 ,  成都智芯微科技有限公司 ,  四川芯合利诚科技有限公司 ,  重庆中科渝芯电子有限公司 ,  四川蓝彩电子科技有限公司 ,  广东气派科技有限公司 ,  四川遂宁市利普芯微电子有限公司

发明人： 徐开凯 ,  张鸿桥 ,  曾德贵 ,  曾尚文 ,  赵建明 ,  张宁 ,  范洋 ,  朱煜开 ,  张正元 ,  许栋梁 ,  田旭 ,  李建全 ,  廖楠 ,  施宝球 ,  徐银森 ,  陈勇

IPC分类号： H01L33/38 ,  H01L33/46 ,  H01L33/00 ,  H01L27/15

摘要： 本发明公开了一种基于场控可调硅基发光的单片集成光电微显示器件，它包括自下而上依次设置的硅衬底、发光结构、金属互联层、隔离层和金属反射层；所述发光结构嵌于硅衬底中，发光结构包括由外而内依次设置的n型阱、n+型有源区、p+型有源区、薄氧化层和多晶硅栅，n+型有源区与n型阱的内壁之间设置有场氧化层，场氧化层的外壁与硅衬底相连、内壁与n+型有源区相连。本发明采用了栅控二极管的结构，利用p+n结反偏引起的雪崩击穿机制进行电致发光，发光区域转移至多晶硅栅的四周，使得发光区域大大增加。本发明适用于全硅单片集成光电微显示器件技术领域。

公开(公告)号：CN110635008B

公开(公告)日：2024-01-30

申请号：CN201910932154.7

申请日：2019-09-29

申请人： 电子科技大学 ,  四川晶辉半导体有限公司 ,  广安职业技术学院 ,  成都智芯微科技有限公司 ,  四川芯合利诚科技有限公司 ,  重庆中科渝芯电子有限公司 ,  四川蓝彩电子科技有限公司 ,  四川遂宁市利普芯微电子有限公司

发明人： 徐开凯 ,  张鸿桥 ,  曾德贵 ,  曾尚文 ,  赵建明 ,  张宁 ,  范洋 ,  朱煜开 ,  张正元 ,  许栋梁 ,  田旭 ,  李建全 ,  廖楠 ,  施宝球 ,  徐银森 ,  陈勇

IPC分类号： H01L33/38 ,  H01L33/46 ,  H01L33/00 ,  H01L27/15

摘要： 本发明公开了一种基于场控可调硅基发光的单片集成光电微显示器件，它包括自下而上依次设置的硅衬底、发光结构、金属互联层、隔离层和金属反射层；所述发光结构嵌于硅衬底中，发光结构包括由外而内依次设置的n型阱、n+型有源区、p+型有源区、薄氧化层和多晶硅栅，n+型有源区与n型阱的内壁之间设置有场氧化层，场氧化层的外壁与硅衬底相连、内壁与n+型有源区相连。本发明采用了栅控二极管的结构，利用p+n结反偏引起的雪崩击穿机制进行电致发光，发光区域转移至多晶硅栅的四周，使得发光区域大大增加。本发明适用于全硅单片集成光电微显示器件技术领域。

公开(公告)号：CN210325840U

公开(公告)日：2020-04-14

申请号：CN201921640968.5

申请日：2019-09-29

申请人： 广安职业技术学院 ,  四川晶辉半导体有限公司 ,  电子科技大学 ,  成都智芯微科技有限公司 ,  四川芯合利诚科技有限公司 ,  四川遂宁市利普芯微电子有限公司 ,  四川蓝彩电子科技有限公司 ,  广东气派科技有限公司 ,  重庆中科渝芯电子有限公司

发明人： 曾德贵 ,  徐开凯 ,  范洋 ,  曾尚文 ,  施宝球 ,  朱煜开 ,  张正元 ,  赵建明 ,  许栋梁 ,  李建全 ,  廖楠 ,  徐银森

IPC分类号： H01L33/38 ,  H01L33/46 ,  H01L33/00 ,  H01L27/15

摘要： 本实用新型公开了一种全集成硅显示器中的反向发光器件，它包括自下而上依次设置的硅衬底、发光结构、金属互联层、隔离层和金属反射层；所述发光结构嵌于硅衬底中，发光结构包括由外而内依次设置的n型阱、n+型有源区、p+型有源区、薄氧化层和多晶硅栅，n+型有源区与n型阱的内壁之间设置有场氧化层，场氧化层的外壁与硅衬底相连、内壁与n+型有源区相连。本实用新型采用了栅控二极管的结构，利用p+n结反偏引起的雪崩击穿机制进行电致发光，发光区域转移至多晶硅栅的四周，使得发光区域大大增加。本实用新型适用于全硅单片集成光电微显示器件技术领域。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利