实用新型
- 专利标题: 一种矩阵式IGBT过流保护电路
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申请号: CN202021427213.X申请日: 2020-07-20
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公开(公告)号: CN212627129U公开(公告)日: 2021-02-26
- 发明人: 高慧安 , 陈盼 , 董冰 , 杨沛宇 , 胡健兵 , 康凯 , 杨莉
- 申请人: 上海鼎充新能源技术有限公司
- 申请人地址: 上海市松江区莘砖公路518号临港松江科技城24栋6楼
- 专利权人: 上海鼎充新能源技术有限公司
- 当前专利权人: 亨通慧充众联科技有限公司
- 当前专利权人地址: 215200 江苏省苏州市吴江区松陵镇苏州河路18号
- 代理机构: 扬州市锦江专利事务所
- 代理商 王晓青
- 主分类号: H02H3/087
- IPC分类号: H02H3/087 ; H02M1/08 ; G05F1/573 ; G05F1/575
摘要:
一种矩阵式IGBT过流保护电路,涉及过流保护技术领域。矩阵式IGBT包括多组IGBT开关电路,每组IGBT开关电路由两个反向串联的IGBT开关组成,IGBT开关呈矩阵式分布,每个IGBT开关对应连接一个过流保护电路模块,过流保护电路模块包括IGBT驱动芯片U4、MCU、稳压二极管D2、电阻R1、R6、R9、二极管D1、电容C1、C2、12V供电电源、15V直流电源、电阻R7、R8、稳压二极管D10、电容C5。本实用新型优势损耗较小,集成了关断时过压的功能,延长了IGBT的使用寿命,矩阵式电路,减少了电流传感器的使用,降低了生产成本。