本实用新型涉及电子元器件散热领域的技术领域，尤其是一种硅基键合的石墨烯散热覆铜陶瓷基板，包括从上到下依次设置的铜箔层、陶瓷层和硅基键合石墨烯涂层，所述的硅基键合石墨烯涂层设在所述的陶瓷层的下表面，所述的铜箔层覆在所述的陶瓷层的上表面。本实用新型采用化学气相沉积（CVD）工艺，以含硅化合物作为硅源催化剂，碳氢化合物作为碳源前驱体，在覆铜的陶瓷层表面生长沉积硅基键合的石墨烯涂层，可迅速的将铜箔层上刻蚀的电路或负载的电子器件产生的热量依次通过陶瓷基板和硅基键合的石墨烯涂层散出去。