实用新型
- 专利标题： 一种掺V碳化硅增强气体流入均匀性的装置
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申请号： CN202320938600.7申请日： 2023-04-24
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公开(公告)号： CN219385400U公开(公告)日： 2023-07-21
- 发明人: 刘海威 , 魏莹 , 邹宇 , 张平 , 刘春俊 , 彭同华 , 杨建
- 申请人： 江苏天科合达半导体有限公司 , 北京天科合达半导体股份有限公司
- 申请人地址： 江苏省徐州市经济技术开发区创业路26号;
- 专利权人： 江苏天科合达半导体有限公司,北京天科合达半导体股份有限公司
- 当前专利权人： 江苏天科合达半导体有限公司,北京天科合达半导体股份有限公司
- 当前专利权人地址： 江苏省徐州市经济技术开发区创业路26号;
- 代理机构： 北京集佳知识产权代理有限公司
- 代理商 陈志海
- 主分类号： C30B29/36
- IPC分类号： C30B29/36 ; C30B23/00 ; C23C14/22
摘要：
本实用新型公开了一种掺V碳化硅增强气体流入均匀性的装置，包括：气盘、第一通气杆和第二通气杆；所述第一通气杆的一端用于连接反应腔室底部的进气孔，另一端连接于所述气盘的侧面，所述气盘的顶面与所述第二通气杆的底端连接，所述第二通气杆的顶端位于发热层的下部。本方案将气体出气孔引导至晶体生长反应腔下部，使气体分子与生长气相组分均匀接触，增强气体流入均匀性。
IPC分类:
