本实用新型提供了一种基于P3HT界面修饰的钙钛矿太阳电池，钙钛矿太阳电池包括从下到上依次设置有FTO导电玻璃、SnO2电子传输层、钙钛矿层、P3HT界面修饰层、Spiro‑OMeTAD空穴传输层以及Au电极。所述FTO导电玻璃的厚度为350～450nm,SnO2电子传输层的厚度为20～50nm，钙钛矿层的厚度为200～500nm，P3HT界面修饰层的厚度为1～10nm，Spiro‑OMeTAD空穴传输层的厚度为100～300nm，Au电极的厚度为80～120nm。本实用新型采用聚‑3己基噻吩(P3HT)聚合物修饰的方式在钙钛矿层和空穴传输层之间形成P3HT界面修饰层，提升钙钛矿吸光层和空穴传输层的界面质量，起到了缺陷钝化和阻隔水分的协同作用。