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公开(公告)号：CN117693207A
公开(公告)日：2024-03-12
申请号：CN202310757926.4
申请日：2023-06-26
申请人： 福建省计量科学研究院(福建省眼镜质量检验站) , 福建江夏学院
IPC分类号： H10K30/10 , H10K30/40 , H10K30/50 , H10K30/85 , H10K30/86 , H10K30/81 , H10K71/12 , H10K71/16 , H10K71/40
摘要： 本发明提供一种基于双层无铅吸光层结构的钙钛矿太阳电池及其制备方法，钙钛矿太阳电池的结构为FTO/TiO2/MASnI3/CsGeI3/Spiro‑OMeTAD/Ag，从下到上依次设置有FTO导电玻璃、TiO2电子传输层、MASnI3钙钛矿吸光层、CsGeI3钙钛矿吸光层、Spiro‑OMeTAD空穴传输层以及Ag电极，所述MASnI3钙钛矿吸光层为CH3NH3SnI3钙钛矿吸光层。本发明电池扩宽吸光层的吸收光谱至红外波段，双层异质结结构能够提升吸光层的内部电场驱动力，从而有效地促进光生载流子的解离，显著提升了钙钛矿电池的光电转换效率。
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公开(公告)号：CN118076119A
公开(公告)日：2024-05-24
申请号：CN202310435980.7
申请日：2023-04-21
申请人： 福建江夏学院 , 福建省计量科学研究院(福建省眼镜质量检验站)
摘要： 本发明提供一种无电荷传输层的少铅钙钛矿太阳能电池及其制备方法，所述钙钛矿太阳能电池的结构为FTO/FASnI3/MAPbI3/Carbon，从下到上依次设置有FTO透明电极层、FASnI3薄膜层、MAPbI3薄膜层以及Carbon电极层，其中FASnI3/MAPbI3作为吸光层；所述FASnI3薄膜层制备方法如下：采用旋涂法制备，首先将SnI2、FAI、SnF2共同溶解在DMF/DMSO体积比为1:4混合溶剂中，之后旋涂在FTO透明电极层上，形成FASnI3薄膜层；所述MAPbI3薄膜层制备方法如下：在沉积好的FASnI3薄膜层上，采用双源共蒸发法制备MAPbI3薄膜层。本发明减少了双钙钛矿结构中Pb的使用，降低了制作成本，同时能够提供足够的内部电场驱动力促进载流子分离和传输，从并扩宽吸光层的吸收光谱。
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公开(公告)号：CN116347905A
公开(公告)日：2023-06-27
申请号：CN202310189920.1
申请日：2023-03-02
申请人： 福建省计量科学研究院(福建省眼镜质量检验站) , 福建江夏学院
摘要： 本发明提供了一种基于P3HT界面修饰的钙钛矿太阳电池及其制备方法，钙钛矿太阳电池包括从下到上依次设置有FTO导电玻璃、SnO2电子传输层、钙钛矿层、P3HT界面修饰层、Spiro‑OMeTAD空穴传输层以及Au电极。制备步骤如下：先在FTO导电玻璃上依次旋涂SnO2电子传输层、钙钛矿层；再在钙钛矿层制备P3HT界面修饰层：先称量一定质量的P3HT颗粒，溶解于氯苯溶剂中，得到P3HT溶液；当钙钛矿层退火后，将溶解的P3HT溶液旋涂在钙钛矿上，之后在N2手套箱中静止一段时间；接着旋涂Spiro‑OMeTAD空穴传输层；最后在制备Au电极。本发明采用聚‑3己基噻吩(P3HT)聚合物修饰的方式提升钙钛矿吸光层和空穴传输层的界面质量，起到了缺陷钝化和阻隔水分的协同作用。
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公开(公告)号：CN117373578A
公开(公告)日：2024-01-09
申请号：CN202311477609.3
申请日：2023-11-08
申请人： 福州大学 , 福建江夏学院 , 福建省计量科学研究院(福建省眼镜质量检验站)
摘要： 本发明涉及一种ABX3型卤化物光电材料B位多主元成分设计和性质计算方法。包括：分析ABX3型钙钛矿纯物质单胞的晶体结构的稳定性；设计不同元素B位阳离子的成分比例；分别对不同B位阳离子的成分比例，对不同位点布局下的超晶胞构型ABX3型钙钛矿进行优化；对每一种成分比例的ABX3型B位多主元钙钛矿的容忍因子及形成能计算判定其稳定性；分析ABX3型钙钛矿中B位阳离子成分变化后，晶胞参数的变化对电子结构的影响规律；对每一种成分比例的ABX3型B位多主元钙钛矿材料的光学性质进行计算和分析，筛选性能优良的材料。本发明能够对ABX3型钙钛矿中B位多主元化后的结构及性能进行有效预测。
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公开(公告)号：CN115458074A
公开(公告)日：2022-12-09
申请号：CN202211125570.4
申请日：2022-09-15
申请人： 福州大学 , 福建江夏学院 , 福建省计量科学研究院(福建省眼镜质量检验站)
摘要： 本发明涉及一种复杂基团置换钙钛矿中单原子的坐标转换方法。该方法能够通过简单的坐标变换，将复杂的原子基团引入钙钛矿晶胞中取代原有原子或者原子基团，有效快捷地构建复杂晶胞模型，为之后的优化计算提供准确地保障。同时，在体系中进行多原子或者原子基团替换掺杂时，此方法可通过坐标转换将用来替换原子或者原子基团的每个原子基团的坐标都记录在Excel表格、Word等工具中，可在后面的优化计算中任意组合。同时此方法还可以通过坐标转换，将掺杂的原子基团进行取向变化等操作，简单快捷有效。
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公开(公告)号：CN115374649A
公开(公告)日：2022-11-22
申请号：CN202211125610.5
申请日：2022-09-15
申请人： 福州大学 , 福建江夏学院 , 福建省计量科学研究院(福建省眼镜质量检验站)
IPC分类号： G06F30/20 , G06F119/02
摘要： 本发明涉及ABX3型钙钛矿中A位离子掺杂改性的理论预测方法。包括：分析ABX3型钙钛矿纯物质单胞的晶体结构的稳定性；设计A位阳离子部分置换掺杂取代比例；分别对不同掺杂比例，不同掺杂位点的ABX3型钙钛矿进行优化，以获得能量最低的掺杂点位构型；对每一种掺杂比例的ABX3型钙钛矿的最低能量构型判定其稳定性；分析ABX3型钙钛矿中A位阳离子掺杂改性后，晶胞参数的变化对电子结构的影响规律；对某一掺杂成分及掺杂构型钙钛矿材料的光学性质进行计算和分析，筛选性能优良的材料。本发明能够对ABX3型钙钛矿中A位离子掺杂改性后的结构及性能进行有效预测。
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公开(公告)号：CN116707443A
公开(公告)日：2023-09-05
申请号：CN202310527991.8
申请日：2023-05-11
IPC分类号： H02S50/15
摘要： 本发明提供了一种太阳能电池的测试方法及其设备，其包括一温控箱体和一太阳模拟器，温控箱体包括一底座、一箱体、一循环水冷装置和一样品支架；箱体固定于底座上，箱体顶部设有一通孔，通孔上设有一玻璃顶盖，箱体为中空双层结构，中空双层结构的空腔内设有一半导体温控装置，箱体的侧壁设有若干个法兰接口，循环水冷装置包括一水浴机和一水冷排，水冷排设置于半导体温控装置的散热端，水冷排的进水端和出水端分别贯穿法兰接口，并通过水管与水浴机连接形成闭环结构；样品支架设置于箱体内；太阳模拟器模拟太阳光穿透玻璃顶盖照射至样品支架上。本发明提供了一种结构简单，操作方便，可实现设备的精准温控，且温控均匀的一种太阳能电池测试用温控箱体。
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公开(公告)号：CN108508391A
公开(公告)日：2018-09-07
申请号：CN201810563396.9
申请日：2018-06-04
IPC分类号： G01R35/00
摘要： 本发明提供了一种四探针电阻率测试仪校准模块，包括一电压表以及一四探针电阻率测试仪、一七档电阻模块、一七档旋转开关以及一DB9接口公头；所述电压表和七档旋转开关均与所述七档电阻模块相连接；所述七档旋转开关和四探针电阻率测试仪均与所述DB9接口公头相连接。本发明的优点在于：降低了校准装置的成本，与标准样片相比，更易于保存、运输，更容易溯源到上一级标准，具有较好的溯源性。
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