本实用新型提供了一种光耦继电器，包括：芯片基底、阵列式排布的多个光耦继电模块和MEMS外壳，MEMS外壳设于芯片基底上且将所有的光耦继电模块罩住，光耦继电模块包括：发光单元、感光单元、驱动单元和开关单元。本申请将所有的光耦继电模块均集成于芯片基底的同一平面上，使用基于SOI的BCD工艺制作，各光耦继电模块中，发光单元直接集成在感光单元侧，所以不需要使用高透光率胶体作为器件支撑，本申请取消了高透光率胶体使用，简化了工艺流程，提高了光通比率。进一步的，本申请通过在所有的光耦继电模块上方设置高反射的MEMS外壳以使用反射方式增强感光单元的获得光强，解决了光耦继电模块之间的光线隔离问题。