本实用新型公开了一种X切铌酸锂IQ调制器，其光波导在射频电极区域中靠近射频电极火线一侧，并在射频电极和光波导之间设置缓冲层；同时，在偏置电极和相位电极作用区域中，保持光波导位于火线与地线的中心位置上，但在光波导与偏置电极之间、光波导与相位电极之间不使用氧化硅等缓冲层。因此，可以在不影响带宽的同时，降低X切铌酸锂IQ调制器的射频半波电压，有效降低偏置电极和相位电极的半波电压。通过在MZ调制器中引入分段结构，借助余弦曲线形状的过渡段，可以增加MZ调制器结构在直流偏置段中的两臂间距，有效降低半波电压。