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公开(公告)号：CN118550108A
公开(公告)日：2024-08-27
申请号：CN202310186798.2
申请日：2023-02-25
申请人： 济南量子技术研究院
摘要： 本发明公开了一种高速X切铌酸锂调制器，其中，射频电极区域中的光波导靠近电极火线一侧，且在光波导和射频电极之间设有缓冲层，而偏置电极区域中的光波导位于地线和火线之间，但在光波导和偏置电极之间不设置缓冲层，由此在不影响带宽的前提下，有效降低射频和偏置半波电压。此外，还在调制器的MZ结构光波导中引入分段设计，使光波导的两臂在射频段和偏置段中具有不同间距，从而有效降低半波电压。因此，本发明可以在不引入新工艺的情况下减低调制器的半波电压，有利于批量生产大带宽、低半波电压的铌酸锂高速调制器。
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公开(公告)号：CN221078974U
公开(公告)日：2024-06-04
申请号：CN202322536569.7
申请日：2023-09-18
申请人： 济南量子技术研究院
摘要： 本申请公开了一种模斑转换器以及光学模块，模斑转换器包括：铌酸锂衬底，具有相对的第一表面和第二表面；位于第一表面内的光波导；光波导包括设置在铌酸锂衬底表面内的质子交换区；其中，在平行于第一表面的方向上，光波导包括：依次排布的输入部分、渐变部分和输出部分；输入部分具有第一模场直径，输出部分具有第二模场直径，第一模场直径大于第二模场直径；渐变部分的模场直径从第一模场直径渐变至第二模场直径。本申请通过在铌酸锂衬底表面内形成质子交换区，以在铌酸锂衬底表面内形成光波导，使得模斑转换器具有起偏功能，与集成光学芯片连接时，无需前置起偏器，减小了光学系统体积以及光学插入损耗，便于集成光学技术的推广应用。
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公开(公告)号：CN219737826U
公开(公告)日：2023-09-22
申请号：CN202321327382.X
申请日：2023-05-29
申请人： 济南量子技术研究院
摘要： 本实用新型属于光电子技术和光通信技术领域，尤其涉及一种周期极化铌酸锂波导器件的气密封装结构，包括管壳，管壳内设有穿过所述管壳两端的双端光纤耦合波导器件，管壳内还设有热电制冷器和温度传感器，所述热电制冷器和温度传感器均设有引线，所述管壳上设置有排针穿孔，所述排针穿孔中插设有排针，所述引线与所述排针导电连接，所述排针与排针穿孔的内孔壁之间通过玻璃焊料层密封配合，这样不仅保证周期极化铌酸锂波导器件的气密性，还保证了良好的电绝缘性，使周期极化铌酸锂波导器件不易受到外界颗粒杂质的影响，同时避免了水蒸气侵入产生冷凝水影响波导性能，延长使用寿命。
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公开(公告)号：CN218481725U
公开(公告)日：2023-02-14
申请号：CN202223143185.0
申请日：2022-11-25
申请人： 济南量子技术研究院
摘要： 本实用新型涉及一种铌酸锂偏振调制器，包括光场承载基底，所述光场承载基底上设置有脊波导、第一和第二调谐电极，第一和第二调谐电极分布于脊波导的两侧；第一和第二缓冲层，设置于所述脊波导、第一调谐电极、第二调谐电极以及部分光场承载基底的上表面；第二缓冲层设置于光场承载基底的下表面；第一控制电极和第二控制电极，设置在第一缓冲层的上表面，第二控制电极设置在第二缓冲层的下表面；衬底，设置在第二缓冲层的下表面。本实用新型能够使得偏振调制器工作时的光场既能够分布于调谐电场中心，也能够分布于控制电场中心，大大增加了光场、电场的重叠程度，可以有效降低调制器的工作电压，提高偏振调制器的调制效率。
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公开(公告)号：CN220040906U
公开(公告)日：2023-11-17
申请号：CN202321521609.4
申请日：2023-06-14
申请人： 济南量子技术研究院
摘要： 本实用新型公开了一种X切铌酸锂IQ调制器，其光波导在射频电极区域中靠近射频电极火线一侧，并在射频电极和光波导之间设置缓冲层；同时，在偏置电极和相位电极作用区域中，保持光波导位于火线与地线的中心位置上，但在光波导与偏置电极之间、光波导与相位电极之间不使用氧化硅等缓冲层。因此，可以在不影响带宽的同时，降低X切铌酸锂IQ调制器的射频半波电压，有效降低偏置电极和相位电极的半波电压。通过在MZ调制器中引入分段结构，借助余弦曲线形状的过渡段，可以增加MZ调制器结构在直流偏置段中的两臂间距，有效降低半波电压。
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公开(公告)号：CN218213679U
公开(公告)日：2023-01-03
申请号：CN202222718350.4
申请日：2022-10-14
申请人： 济南量子技术研究院
摘要： 本实用新型公开了一种铌酸锂薄膜光器件，其包括衬底和设置于衬底上的铌酸锂薄膜光器件模块。铌酸锂薄膜光器件模块包括VCSEL激光器芯片、转折透镜、和具有光波导及调制功能区域的铌酸锂薄膜芯片，其中，转折透镜用于改变所述激光信号的传输方向，并将其聚焦耦合至铌酸锂光波导上。借助转折透镜，可以高效地实现激光器与薄膜芯片的空间耦合，将VCSEL激光器芯片和铌酸锂薄膜芯片集成封装，减小光学系统的损耗和体积，提高系统的可靠性。同时，VCSEL激光器的波长稳定性好，阈值电流小，且可以实现激光器阵列生产，有利于实现更高的通道容量，更好地满足多路并行通信速率要求。
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公开(公告)号：CN216956567U
公开(公告)日：2022-07-12
申请号：CN202123452132.2
申请日：2021-12-31
申请人： 济南量子技术研究院
IPC分类号： G02F1/035
摘要： 本实用新型涉及一种基于铌酸锂薄膜的光器件，其包括铌酸锂薄膜芯片、DFB激光器芯片和衬底，激光器芯片采用倒装方式设置在衬底上，DFB激光器芯片的光口位于激光器芯片下方，与铌酸锂光波导对准以形成光学耦合。DFB激光器芯片与衬底之间通过导电胶和UV胶两种胶水形成固定连接。导电胶位于DFB激光器芯片的焊盘与衬底之间。UV胶位于DFB激光器与衬底固定点之间。通过在光器件中采用激光器有源耦合结构，可以以空间耦合的方式将激光器芯片与铌酸锂薄膜芯片进行对准，避免使用光纤带来的问题，同时还允许在对准操作时实时监控耦合对准程度，显著提高对准精度。
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公开(公告)号：CN214225509U
公开(公告)日：2021-09-17
申请号：CN202120511006.0
申请日：2021-03-11
申请人： 济南量子技术研究院
IPC分类号： G02B6/42
摘要： 本实用新型公开了一种小型化的铌酸锂光器件，其包括激光器芯片模块、铌酸锂薄膜调制器芯片模块、探测器芯片模块以及封装外壳。其中，激光器芯片模块用于产生和输出激光信号；铌酸锂薄膜调制器芯片模块用于对激光信号进行调制；探测器芯片模块设于激光器芯片模块后方，用于接收和探测激光器芯片模块的后向出射光；并且，激光器芯片模块、铌酸锂薄膜调制器芯片模块和探测器芯片模块集成封装于封装外壳内，且该封装外壳被设置用于实现铌酸锂光器件的电气和光学连接。
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公开(公告)号：CN221406084U
公开(公告)日：2024-07-23
申请号：CN202322716242.8
申请日：2023-10-10
申请人： 济南量子技术研究院
摘要： 实用新型公开了一种新型的Y波导芯片，其包括铌酸锂晶体、Y形分支波导和调制电极，其中，调制电极和Y形分支波导分别形成于铌酸锂晶体上，且铌酸锂晶体和调制电极的表面上还形成有介质保护膜。通过尤其在调制电极上方覆盖介质保护膜以替代传统的硅胶保护结构，能够有效阻挡水汽扩散进入调制电极区域。因此，与传统涂覆硅胶方案相比，本实用新型的Y波导芯片可以具有更高的可靠性，能够保证在高温高湿环境下正常工作。
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