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发明公开
CN86101350A 带有埋置绝缘氧化物区的金属氧化物半导体晶体管制作方法 失效 - 权利终止

  • 专利标题： 带有埋置绝缘氧化物区的金属氧化物半导体晶体管制作方法
  • 专利标题（英）： PROCESS FOR FORMING MOS TRANSISTOR WITH BURIED OXIDE REGIONS FOR INSULATION
  • 申请号： CN86101350
    申请日： 1986-03-07
  • 公开(公告)号： CN86101350A
    公开(公告)日： 1987-05-13
  • 发明人: 威廉·贝格 , 丁秋先 , 萧邦 , J·C-郑
  • 申请人： 英特尔公司
  • 申请人地址： 美国加利福尼亚州
  • 专利权人： 英特尔公司
  • 当前专利权人： 英特尔公司
  • 当前专利权人地址： 美国加利福尼亚州
  • 代理机构： 中国专利代理有限公司
  • 代理商 肖春京; 杜有文
  • 优先权： 794.524 1985.11.04 US
  • 主分类号： H01L21/18
  • IPC分类号： H01L21/18
带有埋置绝缘氧化物区的金属氧化物半导体晶体管制作方法
摘要：
制作与埋置氧化物区自对准的场效应器件的MOS工艺。在由掩膜部分确定了栅之后，与掩膜部分相对准而进行氧注入。掩膜部分阻挡了氧注入，因而由此制出的晶体管的沟道区同埋置氧化层中的窗口相自对准。
摘要（英）：

MOS process for forming field-effect devices in self-alignment with a buried oxide region. Oxygen is implanted in alignment with masking members after gates have been defined from the masking members. The masking members block the oxygen implantation and thus the channel regions of subsequently formed transistors are self-aligned with openings in the buried oxide layer.

公开/授权文献
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