Gate turn-off thyristor

发明授权

EP0009367B1 Gate turn-off thyristor 失效

标题翻译：门关闭三通阀

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专利标题： Gate turn-off thyristor
专利标题（中）： 门关闭三通阀
申请号： EP79301874.8

申请日： 1979-09-12
公开(公告)号： EP0009367B1

公开(公告)日： 1985-02-06
发明人: Nagano, Takahiro , Sanpei, Isamu , Sakurada, Shuroku , Nakagawa, Masaru
申请人： Hitachi, Ltd.
申请人地址： 5-1, Marunouchi 1-chome Chiyoda-ku, Tokyo 100 JP
专利权人： Hitachi, Ltd.
当前专利权人： Hitachi, Ltd.
当前专利权人地址： 5-1, Marunouchi 1-chome Chiyoda-ku, Tokyo 100 JP
代理机构： Paget, Hugh Charles Edward
优先权： JP112257/78 19780914
主分类号： H01L29/08
IPC分类号： H01L29/08 ; H01L29/743

公开/授权文献

EP0009367A1 Gate turn-off thyristor 公开/授权日：1980-04-02

信息查询

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IPC分类:

H	电学
H01	基本电气元件
H01L	半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中使用的半导体器件见应用相关的小类）
H01L29/00	专门适用于整流、放大、振荡或切换，并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的半导体器件；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒，例如PN结耗尽层或载流子集结层的电容器或电阻器；半导体本体或其电极的零部件（H01L31/00至H01L47/00，H01L51/05优先；除半导体或其电极之外的零部件入H01L23/00；由在一个共用衬底内或其上形成的多个固态组件组成的器件入H01L27/00）
H01L29/02	.按其半导体本体的特征区分的
H01L29/06	..按其形状区分的；按各半导体区域的形状、相对尺寸或配置区分的
H01L29/08	...具有连接到1个通有待整流、放大或切换的电流的电极上去的半导体区域的；并且这样的电极又是包含3个或更多个电极的半导体器件的组成部分的