Schottky gate electrode for a compound semiconductor device, and method of manufacturing it

发明授权

EP0055932B1 Schottky gate electrode for a compound semiconductor device, and method of manufacturing it 失效

标题翻译：用于化合物半导体器件的肖特基门电极及其制造方法

专利标题： Schottky gate electrode for a compound semiconductor device, and method of manufacturing it
专利标题（中）： 用于化合物半导体器件的肖特基门电极及其制造方法
申请号： EP81306151.2

申请日： 1981-12-24
公开(公告)号： EP0055932B1

公开(公告)日： 1985-09-11
发明人: Yokoyama, Naoki
申请人： FUJITSU LIMITED
申请人地址： 1015, Kamikodanaka, Nakahara-ku Kawasaki-shi, Kanagawa 211 JP
专利权人： FUJITSU LIMITED
当前专利权人： FUJITSU LIMITED
当前专利权人地址： 1015, Kamikodanaka, Nakahara-ku Kawasaki-shi, Kanagawa 211 JP
代理机构： Sunderland, James Harry
优先权： JP189544/80 19801230
主分类号： H01L29/64
IPC分类号： H01L29/64 ; H01L21/28

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