- 专利标题： Gate turn-off thyristor
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申请号： EP82104076.3申请日： 1982-05-11
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公开(公告)号： EP0066721B1公开(公告)日： 1987-04-01
- 发明人: Nagano, Takahiro , Yatsuo, Tsutomu , Oikawa, Saburo , Fukui, Hiroshi , Kimura, Shin
- 申请人： Hitachi, Ltd.
- 申请人地址： 5-1, Marunouchi 1-chome Chiyoda-ku, Tokyo 100 JP
- 专利权人： Hitachi, Ltd.
- 当前专利权人： Hitachi, Ltd.
- 当前专利权人地址： 5-1, Marunouchi 1-chome Chiyoda-ku, Tokyo 100 JP
- 代理机构： Beetz & Partner Patentanwälte
- 优先权： JP73791/81 19810515
- 主分类号： H01L29/743
- IPC分类号： H01L29/743 ; H01L29/10 ; H01L29/08
公开/授权文献
- EP0066721A2 Gate turn-off thyristor 公开/授权日：1982-12-15
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