Method of forming emitter and intrinsic base regions of a bipolar transistor

发明授权

EP0090940B1 Method of forming emitter and intrinsic base regions of a bipolar transistor 失效

标题翻译：形成双极晶体管的发射极和内部基极区的方法

专利标题： Method of forming emitter and intrinsic base regions of a bipolar transistor
专利标题（中）： 形成双极晶体管的发射极和内部基极区的方法
申请号： EP83101761.1

申请日： 1983-02-23
公开(公告)号： EP0090940B1

公开(公告)日： 1990-05-23
发明人: Barson, Fred , Kemlage, Bernard Michael
申请人： International Business Machines Corporation
申请人地址： Old Orchard Road Armonk, N.Y. 10504 US
专利权人： International Business Machines Corporation
当前专利权人： International Business Machines Corporation
当前专利权人地址： Old Orchard Road Armonk, N.Y. 10504 US
代理机构： Kreidler, Eva-Maria, Dr. rer. nat.
优先权： US355633 19820308
主分类号： H01L21/225
IPC分类号： H01L21/225 ; H01L21/285 ; H01L21/82 ; H01L29/10

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IPC分类:

H	电学
H01	基本电气元件
H01L	半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中使用的半导体器件见应用相关的小类）
H01L21/00	专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02	.半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04	..至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18	...器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/22	....杂质材料的扩散，例如在半导体或半导体的交界区掺入或析出掺杂材料，电极材料；杂质材料的再分配，例如，不引入或去除过多的掺杂剂
H01L21/225	.....应用从固相向固体或从固体向固相的扩散法，例如掺杂氧化层