发明公开
- 专利标题： IMPROVEMENT IN AND RELATING TO THE MANUFACTURE OF WAFER SCALE INTEGRATED CIRCUITS
- 专利标题（中）： 高度集成的电路改进的制造方法。
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申请号： EP82900120.0申请日： 1981-12-21
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公开(公告)号： EP0097147A1公开(公告)日： 1984-01-04
- 发明人: BAILLIE, Alan George
- 申请人： BURROUGHS CORPORATION (a Michigan corporation) , BURROUGHS MACHINES LIMITED
- 申请人地址： Burroughs Place Detroit, Michigan 48232 US
- 专利权人： BURROUGHS CORPORATION (a Michigan corporation),BURROUGHS MACHINES LIMITED
- 当前专利权人： BURROUGHS CORPORATION (a Michigan corporation),BURROUGHS MACHINES LIMITED
- 当前专利权人地址： Burroughs Place Detroit, Michigan 48232 US
- 代理机构： Kirby, Harold Douglas Benson, et al
- 国际公布： WO1983002362 19830707
- 主分类号： H01L21
- IPC分类号： H01L21
摘要：
Le motif de métallisation pour un circuit intégré à l'échelle de tranche est obtenu par gravure d'une couche métallique simple (14) sur laquelle une réserve anti-acide (16) a été exposée et développée en utilisant un masque d'étape et répétition (18) pour les zones du circuit (24) portant les composants et un masque réticulé de tranche entière (26) pour les zones d'interconnexion (30) entre les zones portant les composants (24).
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