专利检索 ap:("BURROUGHS CORPORATION (a Michigan corporation)" OR "BURROUGHS MACHINES LIMITED") AND inv:"BAILLIE, Alan George" 第 1 页

1.

发明公开
IMPROVEMENT IN AND RELATING TO THE MANUFACTURE OF WAFER SCALE INTEGRATED CIRCUITS 失效
标题翻译：高度集成的电路改进的制造方法。

公开(公告)号：EP0097147A1

公开(公告)日：1984-01-04

申请号：EP82900120.0

申请日：1981-12-21

申请人： BURROUGHS CORPORATION (a Michigan corporation) , BURROUGHS MACHINES LIMITED

发明人： BAILLIE, Alan George

IPC分类号： H01L21

CPC分类号： H01L21/0274 , H01L21/768

摘要： Le motif de métallisation pour un circuit intégré à l'échelle de tranche est obtenu par gravure d'une couche métallique simple (14) sur laquelle une réserve anti-acide (16) a été exposée et développée en utilisant un masque d'étape et répétition (18) pour les zones du circuit (24) portant les composants et un masque réticulé de tranche entière (26) pour les zones d'interconnexion (30) entre les zones portant les composants (24).

2.

发明授权
IMPROVEMENT IN AND RELATING TO THE MANUFACTURE OF WAFER SCALE INTEGRATED CIRCUITS 失效
标题翻译： WAF规模集成电路的制造和相关改进

公开(公告)号：EP0097147B1

公开(公告)日：1986-09-03

申请号：EP82900120.5

申请日：1981-12-21

申请人： BURROUGHS CORPORATION (a Delaware corporation) , BURROUGHS MACHINES LIMITED

发明人： BAILLIE, Alan George

IPC分类号： H01L21/90

CPC分类号： H01L21/0274 , H01L21/768

摘要： The metallisation pattern for a wafer scale integrated circuit is achieved by the etching of a single metal layer (14) whereover photresist (16) has been exposed and developed using a step-and-repeat mask (18) for component bearing areas on the circuit (24) and a whole wafer reticle mask (26) for the areas of interconnection (30) between the component bearing areas (24).