Ein erster Feldeffekttransistor (4) ist mit Drain und Source zwischen Kollektor und Basis eines bipolaren Transi stors (2) geschaltet. Durch eine entsprechende Steuerspan nung auf dem Gate (G) kann dieser FET (4) den bipolaren Transistor nahezu verlustlos ein- und ausschalten. Ein zwei ter Feldeffekttransistor (5) ist mit Drain und Source zwischen Basis und Emitter des bipolaren Transistors geschaltet und führt beim Sperren des bipolaren Transistors akkumulierte Ladungen rasch ab. Dadurch entsteht ein Schaltelement, das hohe Ströme bei niedrigen Steuerverlusten mit hoher Geschwindigkeit zu schalten ermöglicht.