公开(公告)号：EP0109576A3

公开(公告)日：1985-10-16

申请号：EP83110610

申请日：1983-10-24

申请人： FUJI ELECTRIC CO. LTD.

发明人： Hiroki, Fujiwara ,  Masami, Ichijo

IPC分类号： H01L27/06

CPC分类号： H03K17/567 ,  H01L27/0716 ,  H03K17/04126 ,  H03K17/0422 ,  H03K2217/0036

摘要： Ein erster Feldeffekttransistor (4) ist mit Drain und Source zwischen Kollektor und Basis eines bipolaren Transi stors (2) geschaltet. Durch eine entsprechende Steuerspan nung auf dem Gate (G) kann dieser FET (4) den bipolaren Transistor nahezu verlustlos ein- und ausschalten. Ein zwei ter Feldeffekttransistor (5) ist mit Drain und Source zwischen Basis und Emitter des bipolaren Transistors geschaltet und führt beim Sperren des bipolaren Transistors akkumulierte Ladungen rasch ab. Dadurch entsteht ein Schaltelement, das hohe Ströme bei niedrigen Steuerverlusten mit hoher Geschwindigkeit zu schalten ermöglicht.

摘要翻译： 第一场效应晶体管（4）通过其漏极和源极连接在双极晶体管（2）的集电极和基极之间。 由于门（G）处的合适的控制电压，该FET（4）能够实际上没有损耗地开启和关闭双极晶体管。 第二场效应晶体管（5）通过其漏极和源极连接在双极晶体管的基极和发射极之间，并且当双极晶体管截止时，快速去除积累的电荷。 这产生开关元件，其使得可以以高速度以低的控制损耗切换高电流。

公开(公告)号：EP0109576A2

公开(公告)日：1984-05-30

申请号：EP83110610.9

申请日：1983-10-24

申请人： FUJI ELECTRIC CO. LTD.

发明人： Hiroki, Fujiwara ,  Masami, Ichijo

IPC分类号： H01L27/06

CPC分类号： H03K17/567 ,  H01L27/0716 ,  H03K17/04126 ,  H03K17/0422 ,  H03K2217/0036

摘要： Ein erster Feldeffekttransistor (4) ist mit Drain und Source zwischen Kollektor und Basis eines bipolaren Transistors (2) geschaltet. Durch eine entsprechende Steuerspannung auf dem Gate (G) kann dieser FET (4) den bipolaren Transistor nahezu verlustlos ein- und ausschalten. Ein zweiter Feldeffekttransistor (5) ist mit Drain und Source zwischen Basis und Emitter des bipolaren Transistors geschaltet und führt beim Sperren des bipolaren Transistors akkumulierte Ladungen rasch ab. Dadurch entsteht ein Schaltelement, das hohe Ströme bei niedrigen Steuerverlusten mit hoher Geschwindigkeit zu schalten ermöglicht.

摘要翻译： 第一场效应晶体管（4）通过其漏极和源极连接在双极晶体管（2）的集电极和基极之间。 由于门（G）处的合适的控制电压，该FET（4）能够实际上没有损耗地开启和关闭双极晶体管。 第二场效应晶体管（5）通过其漏极和源极连接在双极晶体管的基极和发射极之间，并且当双极晶体管截止时，快速去除积累的电荷。 这产生开关元件，其使得可以以高速度以低的控制损耗切换高电流。