Low-loss planar transistor and method of making the same

发明公开

EP0125571A3 Low-loss planar transistor and method of making the same 失效

标题翻译：低损耗平面晶体管及其制造方法

专利标题： Low-loss planar transistor and method of making the same
专利标题（中）： 低损耗平面晶体管及其制造方法
申请号： EP84105002

申请日： 1984-05-03
公开(公告)号： EP0125571A3

公开(公告)日： 1986-12-30
发明人: BLOSSFELD, LOTHAR, DIPL.-PHYS.
申请人： DEUTSCHE ITT INDUSTRIES GMBH , ITT INDUSTRIES INC.
专利权人： DEUTSCHE ITT INDUSTRIES GMBH,ITT INDUSTRIES INC.
当前专利权人： DEUTSCHE ITT INDUSTRIES GMBH,ITT INDUSTRIES INC.
优先权： DE3317437 1983-05-13
主分类号： H01L21/033
IPC分类号： H01L21/033 ; H01L21/265 ; H01L21/331 ; H01L27/02 ; H01L29/73 ; H01L29/732 ; H01L29/72 ; H01L21/00 ; H01L27/08

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IPC分类:

H	电学
H01	基本电气元件
H01L	半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中使用的半导体器件见应用相关的小类）
H01L21/00	专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02	.半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/027	..未在H01L21/18或H01L21/34组中包含的为进一步的光刻工艺在半导体之上制作掩膜
H01L21/033	...包括无机层的