Halbleiter-Bauelement mit einem Heiße-Elektronen- Transistor des Tunnelemissionstyps, der eine Emitterschicht, eine erste Isolatorschicht, eine metallische oder metallisch leitende Basisschicht und eine Kollektorschicht aufweist. Angestrebt wird eine Ausgestaltung des Bauelements, die in einfacher Weise herstellbar ist. Das wird dadurch erreicht, daß die Emitterschicht aus einer Inversionsschicht (16) bes teht, die im Kanalbereich (4) eines auf einem Halbleiterkörper (1) integrierten Feldeffekttransistors zwischen dessen Source- und Draingebiet (2, 3) aufgebaut ist, wobei die Basisschicht (5) wenigstens einen Teil der Gateelektrode des Feldeffekttran sistors darstellt und die Kollektorschicht aus einer metalli schen oder metallisch leitenden Schicht (8) und einer zwis chen dieser und der Bassisschicht (5) befindlichen, zweiten Isolatorschicht (7) besteht. Der Anwendungsbereich umfaßt hochintegrierte Schaltkreise.