发明公开
- 专利标题： Transparent conductive film and method of fabricating the same
- 专利标题（中）： 透明导电层，和其制备方法。
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申请号： EP86113673.7申请日： 1986-10-03
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公开(公告)号： EP0217405A1公开(公告)日： 1987-04-08
- 发明人: Aoki, Shigeo
- 申请人： HOSIDEN CORPORATION
- 申请人地址： 4-33, Kitakyuhoji 1-chome Yao-shi Osaka JP
- 专利权人： HOSIDEN CORPORATION
- 当前专利权人： HOSIDEN CORPORATION
- 当前专利权人地址： 4-33, Kitakyuhoji 1-chome Yao-shi Osaka JP
- 代理机构： Lehn, Werner, Dipl.-Ing.
- 优先权： JP221665/85 19851004
- 主分类号： H01L31/02
- IPC分类号： H01L31/02
摘要：
A transparent conductive film (31, 32) formed on a transparent substrate (11) of a thin film transistor or solar cell contains an element falling in Group III or V of the periodic table. The transparent conductive film (31, 32) is formed in contact with a semiconductor layer (14).
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