发明公开
EP0237116A1 Memoire avec tampon amplificateur 失效
存储器缓冲放大器。

Memoire avec tampon amplificateur
摘要:
Mémoire avec un tampon amplificateur (TA) situé au bout de chaque ligne de bit, le tampon amplificateur étant aussi employé comme un "sense amplifier". Sur la ligne de bit Q le tampon amplificateur ne comporte que cinq transistors; le transistor de transmission TR ("passing") est activé pendant la lecture RD, et aussi pendant la précharge PCH; de ce fait le signal de sortie S est toujours à zéro pendant la précharge; la capacité parasitaire CS est petite par rapport à la capacité équivalente CB de la ligne de bit Q; l'inverseur de maintien SI est petit par rapport à l'inverseur amplificateur PI.
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