发明授权
- 专利标题： Field-effect transistor
- 专利标题（中）： 场效应晶体管。
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申请号： EP87302544.9申请日： 1987-03-24
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公开(公告)号： EP0239368B1公开(公告)日： 1995-03-01
- 发明人: Gemma, Nobuhiro c/o Patent Division , Mizushima, Koichi c/o Patent Division , Miura, Akira c/o Patent Division , Azuma, Makoto c/o Patent Division , Nakayama, Toshio c/o Patent Division
- 申请人： KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA
- 申请人地址： 72, Horikawa-cho, Saiwai-ku Kawasaki-shi, Kanagawa-ken 210 JP
- 专利权人： KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA
- 当前专利权人： KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA
- 当前专利权人地址： 72, Horikawa-cho, Saiwai-ku Kawasaki-shi, Kanagawa-ken 210 JP
- 代理机构： Freed, Arthur Woolf
- 优先权： JP66278/86 19860325
- 主分类号： H01L51/00
- IPC分类号： H01L51/00 ; H01L29/41 ; H01L29/78
公开/授权文献
- EP0239368A3 Field-effect transistor 公开/授权日：1990-02-07
信息查询
IPC分类:
