发明公开
- 专利标题： Semiconductor memory device
- 专利标题（中）： 半导体存储器件
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申请号： EP87301749.5申请日： 1987-02-27
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公开(公告)号： EP0240156A3公开(公告)日： 1990-03-21
- 发明人: Takemae, Yoshihiro , Tatematsu, Takeo , Sato, Kimiaki , Horii, Takashi , Kodama, Nobumi , Yanagisawa, Makoto , Takada, Yasuhiro
- 申请人： FUJITSU LIMITED
- 申请人地址： 1015, Kamikodanaka, Nakahara-ku Kawasaki-shi, Kanagawa 211 JP
- 专利权人： FUJITSU LIMITED
- 当前专利权人： FUJITSU LIMITED
- 当前专利权人地址： 1015, Kamikodanaka, Nakahara-ku Kawasaki-shi, Kanagawa 211 JP
- 代理机构： Billington, Lawrence Emlyn
- 优先权： JP43084/86 19860228
- 主分类号： G11C11/24
- IPC分类号： G11C11/24 ; G11C7/00 ; G11C8/00
摘要：
A one-transistor one-capacitor type semi-conductor memory device having a detection circuit (TC) for detecting the electric potential of a word line (WL), to determine an appropriate timing for driving a sense amplifier (SA), thereby improving the speed of memory operations.
公开/授权文献
- EP0240156A2 Semiconductor memory device 公开/授权日：1987-10-07
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