发明授权
- 专利标题： Semiconductor device having a superconductive wiring
- 专利标题（中）： 具有超导金属化的半导体器件。
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申请号： EP88109700.0申请日： 1988-06-16
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公开(公告)号： EP0295708B1公开(公告)日： 1994-02-23
- 发明人: Taguchi, Masao
- 申请人： FUJITSU LIMITED
- 申请人地址： 1015, Kamikodanaka, Nakahara-ku Kawasaki-shi, Kanagawa 211 JP
- 专利权人： FUJITSU LIMITED
- 当前专利权人： FUJITSU LIMITED
- 当前专利权人地址： 1015, Kamikodanaka, Nakahara-ku Kawasaki-shi, Kanagawa 211 JP
- 代理机构： Schmidt-Evers, Jürgen, Dipl.-Ing.
- 优先权： JP150248/87 19870618
- 主分类号： H01L23/52
- IPC分类号： H01L23/52 ; H01L21/90 ; H01L39/24
公开/授权文献
- EP0295708A3 Semiconductor device having a superconductive wiring 公开/授权日：1989-09-06
信息查询
IPC分类:
