发明公开
EP0300904A1 Procédé de croissance épitaxiale de couches en matériau III-V ou II-VI par modulation rapide de la température
失效
一种生产由高速温度调节III-V或II-VI族材料的外延层的过程。
- 专利标题： Procédé de croissance épitaxiale de couches en matériau III-V ou II-VI par modulation rapide de la température
- 专利标题（英）： Process for the epitaxial growth of layers of III-V or II-VI materials by rapid temperature modulation
- 专利标题（中）： 一种生产由高速温度调节III-V或II-VI族材料的外延层的过程。
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申请号： EP88401883.9申请日： 1988-07-20
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公开(公告)号： EP0300904A1公开(公告)日： 1989-01-25
- 发明人: Nissim, Yves , BENSOUSSAN, Marcel
- 申请人： Nissim, Yves , BENSOUSSAN, Marcel
- 申请人地址： 57 Quai de Dion Bouton F-92800 Puteaux FR
- 专利权人： Nissim, Yves,BENSOUSSAN, Marcel
- 当前专利权人： Nissim, Yves,BENSOUSSAN, Marcel
- 当前专利权人地址： 57 Quai de Dion Bouton F-92800 Puteaux FR
- 代理机构： Mongrédien, André (FR)
- 优先权： FR8710290 19870721
- 主分类号： C30B25/02
- IPC分类号： C30B25/02 ; C30B23/02 ; C30B25/14 ; C30B25/10 ; C30B29/40 ; C30B29/48 ; H01L21/205
摘要：
Procédé de croissance épitaxiale de couches en matériau III-V ou II-VI par modulation rapide de la température.
Ce procédé de croissance consiste à soumettre le substrat en matériau III-V ou II-VI ou IV d'orientation [l00] , simultanément à l'apport en espèces chimiques donnant les éléments entrant dans la composition de ladite couche épitaxier, à une série d'impulsions thermiques (5) en forme de créneaux comportant alternativement des paliers de température T1 et des paliers de température T2 supérieures à la température ambiante, avec TI
Ce procédé de croissance consiste à soumettre le substrat en matériau III-V ou II-VI ou IV d'orientation [l00] , simultanément à l'apport en espèces chimiques donnant les éléments entrant dans la composition de ladite couche épitaxier, à une série d'impulsions thermiques (5) en forme de créneaux comportant alternativement des paliers de température T1 et des paliers de température T2 supérieures à la température ambiante, avec TI
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