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1.发明公开Procédé de croissance épitaxiale de couches en matériau III-V ou II-VI par modulation rapide de la température 失效一种生产由高速温度调节III-V或II-VI族材料的外延层的过程。
公开(公告)号：EP0300904A1
公开(公告)日：1989-01-25
申请号：EP88401883.9
申请日：1988-07-20
申请人： Nissim, Yves , BENSOUSSAN, Marcel
发明人： Nissim, Yves , BENSOUSSAN, Marcel
摘要： Procédé de croissance épitaxiale de couches en matériau III-V ou II-VI par modulation rapide de la température.
Ce procédé de croissance consiste à soumettre le substrat en matériau III-V ou II-VI ou IV d'orientation [l00] , simultanément à l'apport en espèces chimiques donnant les éléments entrant dans la composition de ladite couche épitaxier, à une série d'impulsions thermiques (5) en forme de créneaux comportant alternativement des paliers de température T1 et des paliers de température T2 supérieures à la température ambiante, avec TI摘要翻译： 此生长过程besteht在使III-V或II-VI族或IV族材料的基板与[100]取向的同时，以得到形成所述外延层的组合物的一部分的元素的化学物质的输入端，到一系列的热 脉冲（5）的方波的形式可选地包括温度平台T1和温度平台T2哪个比室温更高，与T1
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2.发明公开Procédé de dépot en phase vapeur à flash thermique d'une couche isolante sur un substrat en matériau III-V, application à la fabrication d'une structure MIS 失效从由III-V族材料制成的基板上的绝缘层的热辐射的化学气相沉积，使用用于生产MIS结构的。
公开(公告)号：EP0266268A1
公开(公告)日：1988-05-04
申请号：EP87402397.1
申请日：1987-10-23
申请人： Nissim, Yves , BENSOUSSAN, Marcel
发明人： Nissim, Yves , Bensoussan, Marcel
IPC分类号： H01L21/314 , H01L21/316 , H01L21/318 , H01L21/28
CPC分类号： H01L29/66522 , H01L21/02112 , H01L21/02164 , H01L21/0217 , H01L21/02247 , H01L21/02255 , H01L21/02271 , H01L21/02312 , H01L21/28264 , H01L21/314 , H01L21/31608 , H01L21/3185
摘要： Procédé de dépôt en phase vapeur par flash thermique d'une couche isolante sur un substrat en matériau III-V, application à la fabrication d'une structure MIS.
Ce procédé consiste, dans la même enceinte, à réaliser un décapage d'un substrat III-V (2), à former sur ce substrat au moins une couche de protection (8, 10) de la surface du substrat constituant la zone active (6) de la structure MIS, ou même à réaliser la couche active par épitaxie, à déposer une couche d'isolant (12) par CVD à haute température produite par irradiation de la surface de l'échantillon (1) avec des lampes à halogène, et éventuellement à former sur la couche isolante (12) une couche conductrice (14) à haute température par irradiation avec les lampes à halogène, achevant ainsi la structure MIS.摘要翻译： 该方法涉及使用相同的容器的蚀刻III-V族底物（2），以形成在该基片的至少一个层（8，10），用于保护基板的表面上形成的有源区（6）的 MIS结构或甚至通过外延，以产生所述活性层上在通过照射样品（1）与卤素灯的表面上，并且可能以形成在绝缘层上（产生的高温绝缘通过CVD层（12）沉积 12）的导电层（14）在高温下通过与卤素灯照射，因此与在MIS结构结束了。 ...
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3.发明授权Procédé de dépot en phase vapeur à flash thermique d'une couche isolante sur un substrat en matériau III-V, application à la fabrication d'une structure MIS 失效通过具有热辐射的化学气相沉积在III-V材料基底上沉积绝缘层的方法，用于生产微结构
公开(公告)号：EP0266268B1
公开(公告)日：1992-07-22
申请号：EP87402397.1
申请日：1987-10-23
申请人： Nissim, Yves , BENSOUSSAN, Marcel
发明人： Nissim, Yves , Bensoussan, Marcel
IPC分类号： H01L21/314 , H01L21/316 , H01L21/318 , H01L21/28
CPC分类号： H01L29/66522 , H01L21/02112 , H01L21/02164 , H01L21/0217 , H01L21/02247 , H01L21/02255 , H01L21/02271 , H01L21/02312 , H01L21/28264 , H01L21/314 , H01L21/31608 , H01L21/3185
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4.发明授权Procédé de croissance épitaxiale de couches en matériau III-V ou II-VI par modulation rapide de la température 失效通过快速调节III-V或II-VI材料层的外延生长过程
公开(公告)号：EP0300904B1
公开(公告)日：1992-01-02
申请号：EP88401883.9
申请日：1988-07-20
申请人： Nissim, Yves , BENSOUSSAN, Marcel
发明人： Nissim, Yves , BENSOUSSAN, Marcel
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5.发明授权
公开(公告)号：EP0191661B1
公开(公告)日：1988-11-09
申请号：EP86400043.5
申请日：1986-01-09
申请人： Flicstein, Jean , Nissim, Yves , Morin, Denise
发明人： Flicstein, Jean , Nissim, Yves , Morin, Denise
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6.发明公开Procédé de dépôt et de cristallisation d'une couche mince de matériau organique au moyen d'un faisceau d'énergie 失效一种用于有机材料的薄层以能量束的产生和结晶过程。
公开(公告)号：EP0191661A1
公开(公告)日：1986-08-20
申请号：EP86400043.5
申请日：1986-01-09
申请人： Flicstein, Jean , Nissim, Yves , Morin, Denise
发明人： Flicstein, Jean , Nissim, Yves , Morin, Denise
CPC分类号： B05D1/60 , C03C17/28 , C23C14/12 , C23C14/28 , C30B23/02 , C30B29/58 , G02B6/132 , Y10S260/35
摘要： Procédé de dépôt et de cristallisation d'une couche mince de matériau organique au moyen d'un faisceau d'énergie.
Ce procédé consiste à disposer à proximité de l'une des faces (4a) du substrat (4) un bloc (2) compact constitué du matériau organique, à soumettre le bloc à travers le substrat à l'action d'un faisceau laser (16) de façon à désorber le matériau organique formant le bloc, le substrat étant optiquement transparent audit faisceau, et à effectuer un déplacement relatif entre le substrat et le faisceau afin de balayer lesdites faces (4a, 4b) selon un trajet donné pour permettre de déposer le matériau désorbé sur la face (4a) du substrat en regard du bloc et de cristalliser le matériau ainsi déposé sous forme quasi-cristalline.
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