发明授权
- 专利标题： Verfahren zum Gurten von Abstimmdioden mit fliessendem Übergang der Kapazitätsgleichlaufgruppen
- 专利标题（英）： Process for taping tuning diodes with a fluent transition of the capacitor synchronization groups
- 专利标题（中）： 用于电容转换组件的流程转换的调谐二极管的工艺
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申请号： EP88121416.7申请日： 1988-12-21
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公开(公告)号： EP0321961B1公开(公告)日： 1992-08-12
- 发明人: Gabler, Franz, Dipl.-Ing. (FH)
- 申请人： SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT
- 申请人地址： Wittelsbacherplatz 2 80333 München DE
- 专利权人： SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT
- 当前专利权人： SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT
- 当前专利权人地址： Wittelsbacherplatz 2 80333 München DE
- 优先权： DE3743955 19871223
- 主分类号： H05K13/00
- IPC分类号： H05K13/00
公开/授权文献
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