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发明公开
EP0322303A1 Dispositif de transfert de charges à abaissement de potentiel de transfert en sortie, et procédé de fabrication de ce dispositif 失效
电荷耦合器件用的降低输出偏移电压，以及其制备方法。

  • 专利标题： Dispositif de transfert de charges à abaissement de potentiel de transfert en sortie, et procédé de fabrication de ce dispositif
  • 专利标题（英）： Charge transfer device using lowering of the output transfer voltage, and method for making the same
  • 专利标题（中）： 电荷耦合器件用的降低输出偏移电压，以及其制备方法。
  • 申请号： EP88403249.1
    申请日： 1988-12-20
  • 公开(公告)号： EP0322303A1
    公开(公告)日： 1989-06-28
  • 发明人: Cazaux, Yvon , Thenoz, Yves , Herault, Didier , Blanchard, Pierre
  • 申请人： THOMSON-CSF
  • 申请人地址： 173, Boulevard Haussmann 75008 Paris FR
  • 专利权人： THOMSON-CSF
  • 当前专利权人： THOMSON-CSF
  • 当前专利权人地址： 173, Boulevard Haussmann 75008 Paris FR
  • 代理机构： Guérin, Michel
  • 优先权： FR8717880 19871222
  • 主分类号： H01L29/78
  • IPC分类号： H01L29/78
Dispositif de transfert de charges à abaissement de potentiel de transfert en sortie, et procédé de fabrication de ce dispositif
摘要：
De manière connue, le dispositif comporte en amont sur un substrat semi-conducteur (1) dopé d'un premier type (P), une couche semi-conductrice (2) dopée d'un deuxième type (N) et une couche isolante (3) recouvrant la couche (2). Des paires d'électrodes (P1, P2) sont formées sur la couche isolante. Chaque paire comporte une électrode de transfert (4) et une électrode de stockage (5). Des zones dopées (15) de troisième type (N⁻) sont réalisées dans la couche de deuxième type (N). Selon l'invention, une couche dopée (16) de troisième type (N⁻) est réalisée en aval, dans la couche (2) de deuxième type, et on forme en aval au moins une autre paire (17, 18) d'électrodes supplémentaires de transfert et de stockage. Une zone dopée (19) de quatrième type (N⁻⁻) est réalisée sous l'électrode supplémentaire de transfert (17), dans la couche (16) de troisième type (N⁻). Cette paire d'électrodes supplémentaires (17, 18) et la zone (19) dopée de quatrième type permettent d'obtenir l'abaissement de potentiel de transfert en sortie.
摘要（英）：

In known manner, the device comprises upstream on a semiconductor substrate (1) doped with a first type (P), a semiconductor layer (2) doped with a second type (N) and an insulating layer ( 3) overlying the layer (2). electrode pairs (P1, P2) are formed on the insulating layer. Each pair comprises a transfer electrode (4) and a storage electrode (5). Doped regions (15) of the Third Kind (N⁻) are performed in the second type layer (N). According to the invention, a doped layer (16) of the Third Kind (N⁻) is carried downstream in the layer (2) of the second type, and after forming at least one other pair (17, 18) of additional transfer electrodes and storage. A doped region (19) of the fourth type (N⁻⁻) is in additional transfer electrode (17) in the layer (16) of the Third Kind (N⁻). This pair of additional electrodes (17, 18) and the region (19) doped fourth type allow to obtain the lowering of outlet transfer potential.

公开/授权文献
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IPC分类:
H 电学
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中使用的半导体器件见应用相关的小类）
H01L29/00 专门适用于整流、放大、振荡或切换，并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的半导体器件；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒，例如PN结耗尽层或载流子集结层的电容器或电阻器；半导体本体或其电极的零部件（H01L31/00至H01L47/00，H01L51/05优先；除半导体或其电极之外的零部件入H01L23/00；由在一个共用衬底内或其上形成的多个固态组件组成的器件入H01L27/00）
H01L29/66 .按半导体器件的类型区分的
H01L29/68 ..只能通过对一个不通有待整流、放大或切换的电流的电极供给电流或施加电位方可进行控制的（H01L29/96优先）
H01L29/76 ...单极器件
H01L29/772 ....场效应晶体管
H01L29/78 .....由绝缘栅产生场效应的
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