公开(公告)号：EP0917207A1

公开(公告)日：1999-05-19

申请号：EP98402789.6

申请日：1998-11-10

申请人： THOMSON-CSF

发明人： Caranhac, Sophie ,  Blanchard, Pierre

IPC分类号： H01L29/768 ,  H01L27/148

CPC分类号： H01L29/76883 ,  H01L27/14806

摘要： L'invention concerne les dispositifs à transfert de charges constitués sous forme de registres à décalage, et plus précisément ceux qui fonctionnent selon le mode MPP (Multi-Pinned Phase), c'est-à-dire avec polarisation négative forte des électrodes pendant les phases d'attente ou d'intégration de charges photosensibles. Ces registres utilisent une barrière de potentiel créée par une implantation de compensation P dans une zone 16 située sous une première électrode de chaque étage du registre. Cette barrière sépare les étages les uns des autres.
Pour augmenter la capacité de stockage de charges pendant la phase d'intégration et la capacité de transfert de charges pendant le transfert, on prévoit que l'implantation de compensation de la zone 16 s'étend sous une partie seulement (et non sous la totalité) de la première électrode de chaque étage du registre.
Application aux capteurs d'image photosensibles, aux lignes à retard analogiques, aux mémoires analogiques à transfert de charges, fonctionnant en mode MPP pendant les phases d'attente pour limiter les pertes d'informations dues au courant d'obscurité.

摘要翻译： 每个掺杂补偿区域仅沿着第一级电极的一部分延伸，因此允许自由地访问下层N层并且限制在待机期间由当前产生引起的信息丢失。

公开(公告)号：EP0325524B1

公开(公告)日：1992-11-11

申请号：EP89400129.6

申请日：1989-01-17

申请人： THOMSON-CSF

发明人： Cazaux, Yvon ,  Blanchard, Pierre ,  Thenoz, Yves ,  Hérault, Didier

IPC分类号： G11C27/04 ,  G11C19/28

CPC分类号： G11C27/04 ,  G11C19/287

公开(公告)号：EP0230820B1

公开(公告)日：1990-11-07

申请号：EP86402824.6

申请日：1986-12-16

申请人： THOMSON-CSF

发明人： Beal, Gérard ,  Blanchard, Pierre

IPC分类号： H01L21/28 ,  H01L29/10

CPC分类号： H01L29/66954

公开(公告)号：EP0209425B1

公开(公告)日：1990-05-23

申请号：EP86401299.2

申请日：1986-06-16

申请人： THOMSON-CSF

发明人： Blanchard, Pierre ,  Cortot, Jean-Paul

IPC分类号： H01L21/28 ,  H01L29/60 ,  H01L29/78

CPC分类号： H01L21/76897 ,  H01L29/66954

公开(公告)号：EP0203012A1

公开(公告)日：1986-11-26

申请号：EP86401094.7

申请日：1986-05-23

申请人： THOMSON-CSF

发明人： Blanchard, Pierre ,  Cortot, Jean-Paul

IPC分类号： H01L31/02

CPC分类号： H01L31/022466 ,  H01L31/1804 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

摘要： Le dispositif selon -l'invention comporte des grilles transparentes, dont les parois latérales sont en siliciure (6), et qui, hormis ces parois latérales, sont constituées de silicium polycristallin (3).

公开(公告)号：EP0195707A1

公开(公告)日：1986-09-24

申请号：EP86400452.8

申请日：1986-03-04

申请人： THOMSON-CSF

发明人： Blanchard, Pierre

IPC分类号： H01L27/14

CPC分类号： H01L27/14887

摘要： Le procédé consiste à déposer sur un substrat en silicium (1) une première couche (2) d'un matériau diélectrique puis à déposer au-dessus de cette première couche (2) une deuxième couche de silicium polycristallin (3), à graver par une photolithogravure la deuxième couche de silicium (3) pour mettre à nu la couche diélectrique (2) sur deux zones, une première zone (4) définissant l'espace de formation de la diode, une deuxième zone (6) définissant une zone de canal en volume, une troisième zone définissant le canal en surface étant protégée par le silicium restant, à implanter des impuretés dans la zone canal de transfert en volume (6) et à masquer la zone canal de transfert en volume (6) en laissant découverte la zone réservée à la diode (4) pour mettre à nu le substrat dans la zone réservée à la diode et à déposer une deuxième couche (8) de silicium polycristallin sur l'ensemble formé par la partie mise à nu du substrat, la deuxième couche de silicium (8) et le diélectrique (2) et à graver la deuxième ou les deux couches (8 et 3) de silicium pour former la grille.
Application : matrice à transfert de trame et composants opto-électroniques.

公开(公告)号：EP0181812A1

公开(公告)日：1986-05-21

申请号：EP85402109.4

申请日：1985-11-04

申请人： THOMSON-CSF

发明人： Blanchard, Pierre ,  Cortot, Jean-Paul

IPC分类号： H01L21/28 ,  H01L21/00

CPC分类号： H01L29/66954 ,  H01L21/0337 ,  Y10S148/05 ,  Y10S148/051 ,  Y10S148/111 ,  Y10S438/911

摘要： La présente invention concerne un procédé de fabrication de grilles pour circuit intégré réalisé sur un substrat semi-conducteur (1) en silicium, recouvert d'au moins une couche d'oxyde (2), d'une couche de silicium polycristallin (3), et éventuellement d'une couche de siliciure.
Ce procédé comporte les étapes suivantes:

1°) on dépose successivement une couche de nitrure de silicium (4) et une couche d'oxyde de silicium (5);
2°) on réalise des ouvertures (7) dans ces deux couches par photo-l i thogravure;
3°) on élimine partiellement par désoxydation la couche d'oxyde de silicium (5) de façon à mettre à nu la couche de nitrure (4) sur une certaine distance (1) qui détermine l'écartement entre deux grilles consécutives;
4°) on fait croître de l'oxyde (8) dans les ouvertures (7) réalisées au cours de la deuxième étape;
5°) on élimine les zones de nitrure (4) découvertes au cours de la troisième étape, ainsi que l'éventuelle couche de siliciure et la couche de silicium (3) polycristallin sous-jacentes.

Application à la fabrication de grilles faiblement espacées, utilisées par exemple dans les dispositifs à transfert de charge.

公开(公告)号：EP0066480A1

公开(公告)日：1982-12-08

申请号：EP82400784.3

申请日：1982-04-29

申请人： THOMSON-CSF

发明人： Blanchard, Pierre ,  Chautemps, Jacques ,  Descure, Pierrick

IPC分类号： H01L27/14

CPC分类号： H01L27/14887

摘要： dispositif anti-éblouissement est commun à deux canaux voisins (C 1 et C 2 ). Il est constitué de deux grilles (G 1 et G 2 ) qui sont situées sur les bords voisins des deux canaux (C 1 et C 2 ) et entre lesquelles est implantée une diode d'évacuation des charges (D). Ces grilles (G 1 et G 2 ) sont obtenues en même temps que deux autres grilles (G 3 et G 4 ) qui sont situées sur les bords externes des deux canaux (C 1 et C 2 ) et qui délimitent les bords de ces canaux. L'invention s'applique aux dispositifs photosensibles à transfert de charge, du type à transfert de trame et à transfert de ligne notamment.

摘要翻译： 该设备对于两个相邻通道（C1和C2）是通用的。 它由位于两个通道（C1和C2）的相邻边缘上的两个栅极（G1和G2）组成，并且在该通道之间注入一个电荷引流二极管（D）。 这些栅极（G1和G2）与位于两个通道（C1和C2）的外边缘上并且限定这些通道的边缘的另外两个门（G3和G4）同时获得。 本发明特别适用于转印和转印类型的电荷转移光敏元件。

公开(公告)号：EP0350357A1

公开(公告)日：1990-01-10

申请号：EP89401739.1

申请日：1989-06-20

申请人： THOMSON-CSF

发明人： Blanchard, Pierre

IPC分类号： H01J3/02 ,  H01J1/30

CPC分类号： H01J3/02 ,  H01J1/30

摘要： La présente invention a pour objet un dispositif d'injection d'électrons dans un tube électronique (1) qui comporte : un barreau (3) supraconducteur dont une première extrémité (31) débouche dans le tube (1), et des moyens d'alimentation électrique (4). Le barreau (3) joue le rôle d'une cathode. Deux anodes, principale (6) et secondaire (7), sont disposées dans le tube (1), respectivement là où sont recueillis les électrons, et là où débouche la première extrémité (31) du barreau (3). Les moyens d'alimentation électrique (4) assurent l'application de deux tensions, principale et secondaire. Des électrons sont accélérés le long du barreau (3) grâce aux deux tensions et acquièrent une énergie cinétique au moins égale à l'énergie d'extraction du supraconducteur, et sont ainsi éjectés hors du barreau (3).

摘要翻译： 本发明的目的是一种用于将电子注入到电子管（1）中的装置，其包括：超导条（3），其第一端（31）出现在管（1）中，电源装置 （4）。 酒吧（3）充当阴极。 两个阳极，主体（6）和次要（7）分别设置在管（1）中的电子被收集的位置和条（3）的第一端（31）出现的位置。 电源装置（4）确保主要和次要的两个电压的应用。 电子通过两个电压沿着条（3）加速，并且获得至少等于从超导体提取的能量的动能，并且因此从棒（3）喷出。 ... ...

公开(公告)号：EP0220989A1

公开(公告)日：1987-05-06

申请号：EP86402324.7

申请日：1986-10-16

申请人： THOMSON-CSF

发明人： Blanchard, Pierre ,  Carquet, Michel

IPC分类号： H01L29/60 ,  H01L21/82 ,  H01L27/14

CPC分类号： H01L29/66954 ,  H01L29/42396 ,  H01L29/76866

摘要： L'invention concerne un dispositif à transfert de charges dans lequel, lors de la fabrication, une électrode supérieure (6) ne recouvre pas entièrement un espace (51, 52) séparant deux élec­trodes inférieures (3, 3'). La zone (52) ainsi laissée libre est comblée par un matériau conducteur (9) de même type que l'électrode supérieure (6).
Le procédé de réalisation de l'invention permet une fabrication simple sans contrainte de mise en position des masques de fabri­cation des électrodes. Il permet une fabrication sans recouvrement des électrodes supérieures et inférieures, ce qui permet de diminuer les capacités parasites.