利索-全球专利检索

  1. 登录
  2. 注册
发明公开
EP0355593A3 Verfahren zur Steigerung des Anteils an Siliciumtetrachlorid 无效
增加四氯化硅部分的方法

  • 专利标题： Verfahren zur Steigerung des Anteils an Siliciumtetrachlorid
  • 专利标题（英）： Process for increasing the part of silicium tetrachloride
  • 专利标题（中）： 增加四氯化硅部分的方法
  • 申请号： EP89114776.1
    申请日： 1989-08-10
  • 公开(公告)号： EP0355593A3
    公开(公告)日： 1991-04-10
  • 发明人: Ruff, Klaus
  • 申请人： HÜLS AKTIENGESELLSCHAFT
  • 申请人地址： D-45764 Marl DE
  • 专利权人： HÜLS AKTIENGESELLSCHAFT
  • 当前专利权人： HÜLS AKTIENGESELLSCHAFT
  • 当前专利权人地址： D-45764 Marl DE
  • 优先权： DE3828344 19880820
  • 主分类号： C01B33/107
  • IPC分类号： C01B33/107 ;  C01B33/08
Verfahren zur Steigerung des Anteils an Siliciumtetrachlorid
摘要：
Es wird ein Verfahren zur Steigerung des Anteils an Siliciumtetrachlorid bei der Umsetzung von Chlorwasser­stoff oder einer Mischung von Chlorwasserstoff und Chlor mit metallisches Silicium enthaltenden Stoffen beschrieben. Hierbei setzt man Chlorsilane bei einer Temperatur von 300 o C bis 1 400 o C zu.
摘要（英）：

There is a process for increasing the proportion of silicon tetrachloride material in the reaction of hydrogen chloride or a mixture of hydrogen chloride and chlorine-containing with metallic silicon materials described. Here are employed to chlorosilanes at a temperature of 300 o C to 1 400 ° C.

公开/授权文献
信息查询
Global Dossier Espacenet
0/0