发明公开
- 专利标题： Leistungshalbleiterdiode
- 专利标题（英）： Power semiconductor diode
- 专利标题（中）： Leistungshalbleiterdiode。
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申请号： EP89117482.3申请日： 1989-09-21
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公开(公告)号： EP0364760A1公开(公告)日： 1990-04-25
- 发明人: Kelberlau, Ulrich, Dr. , Leifels, Joachim , Langer, Kurt, Dr.
- 申请人： Asea Brown Boveri Aktiengesellschaft
- 申请人地址： Kallstadter Strasse 1 D-68309 Mannheim DE
- 专利权人： Asea Brown Boveri Aktiengesellschaft
- 当前专利权人： Asea Brown Boveri Aktiengesellschaft
- 当前专利权人地址： Kallstadter Strasse 1 D-68309 Mannheim DE
- 代理机构： Rupprecht, Klaus, Dipl.-Ing.
- 优先权： DE3832732 19880927
- 主分类号： H01L29/91
- IPC分类号： H01L29/91
摘要：
Bei einer isolationsdiffundierten bzw. einer mit Feldringen abgeschlossenen Leistungshalbleiterdiode ist die Aufgabe gestellt, die Eigenschaften hoher Sperrspannung, Avalanche-Festigkeit, schnelles und weiches Abschalten zu kombinieren und eine mit geringem technischem Aufwand herstellbare Ausführung anzugeben.
Diese Aufgabe wird bei einer isolationsdiffundierten Diode dadurch gelöst, daß der pn-Übergang (10) nicht in einem Passivierungsgraben, sondern direkt an einer ersten Hauptfläche (3) der Diode austritt und dort planar mit einer Passivierungsschicht (11) abgedeckt ist und außerdem im mittleren Bereich der Diode ein steiles Dotierungsprofil mit einem großen Gradienten der Dotierstoffkonzentration in der Nähe des pn-Übergangs vorgesehen ist.
Bei einer Diode mit Feldringen wird diese Aufgabe dadurch gelöst, daß sowohl der Randbereich (29) des Hauptübergangs als auch Feldringe (28) in einem gesonderten Diffusionsprozeß hergestellt werden, wodurch ein vom aktiven Teil des Bauelements abweichendes Dotierungsprofil eingestellt werden kann.
Diese Aufgabe wird bei einer isolationsdiffundierten Diode dadurch gelöst, daß der pn-Übergang (10) nicht in einem Passivierungsgraben, sondern direkt an einer ersten Hauptfläche (3) der Diode austritt und dort planar mit einer Passivierungsschicht (11) abgedeckt ist und außerdem im mittleren Bereich der Diode ein steiles Dotierungsprofil mit einem großen Gradienten der Dotierstoffkonzentration in der Nähe des pn-Übergangs vorgesehen ist.
Bei einer Diode mit Feldringen wird diese Aufgabe dadurch gelöst, daß sowohl der Randbereich (29) des Hauptübergangs als auch Feldringe (28) in einem gesonderten Diffusionsprozeß hergestellt werden, wodurch ein vom aktiven Teil des Bauelements abweichendes Dotierungsprofil eingestellt werden kann.
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