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公开(公告)号：EP0361316A3
公开(公告)日：1990-06-06
申请号：EP89117481.5
申请日：1989-09-21
CPC分类号： H01L23/3171 , H01L23/291 , H01L29/0646 , H01L29/861 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： Bei einer isolationsdiffundierten Leistungshalbleiterdiode ist die Aufgabe gestellt, unter Beibehaltung der wesentlichen elektrischen Parameter einen Aufbau anzugeben, der zu einer vereinfachten Herstellung führt. Diese Aufgabe wird bei einer isolationsdiffundierten Leistungshalbleiterdiode dadurch gelöst, daß der pn-Übergang (10) nicht in einem Passivierungsgraben, sondern direkt an einer ersten Hauptfläche (3) der Diode austritt und dort planar mit einer Passivierungsschicht (11) abgedeckt ist. Signifikant ist die einzige Figur der Zeichnung.
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公开(公告)号：EP0361318B1
公开(公告)日：1995-08-23
申请号：EP89117500.2
申请日：1989-09-21
CPC分类号： H01L29/408 , H01L29/0619 , H01L29/74
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公开(公告)号：EP0361316A2
公开(公告)日：1990-04-04
申请号：EP89117481.5
申请日：1989-09-21
CPC分类号： H01L23/3171 , H01L23/291 , H01L29/0646 , H01L29/861 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： Bei einer isolationsdiffundierten Leistungshalbleiterdiode ist die Aufgabe gestellt, unter Beibehaltung der wesentlichen elektrischen Parameter einen Aufbau anzugeben, der zu einer vereinfachten Herstellung führt.
Diese Aufgabe wird bei einer isolationsdiffundierten Leistungshalbleiterdiode dadurch gelöst, daß der pn-Übergang (10) nicht in einem Passivierungsgraben, sondern direkt an einer ersten Hauptfläche (3) der Diode austritt und dort planar mit einer Passivierungsschicht (11) abgedeckt ist.
Signifikant ist die einzige Figur der Zeichnung.摘要翻译： 在隔离扩散的功率半导体二极管中，该目的已经被设置为提供一种结构，其导致简化的制造，同时保持基本的电参数。 在隔离扩散的功率半导体二极管中，实现该目的在于，pn结（10）不会出现在钝化沟槽中，而是直接在二极管的第一主表面（3）处，并且在该点处被覆盖在平面 方式通过钝化层（11）。 图中唯一的图是重要的。
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公开(公告)号：EP0361320B1
公开(公告)日：1993-12-01
申请号：EP89117502.8
申请日：1989-09-21
IPC分类号： H01L29/167
CPC分类号： H01L29/36 , H01L29/167 , H01L29/8611
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公开(公告)号：EP0361318A2
公开(公告)日：1990-04-04
申请号：EP89117500.2
申请日：1989-09-21
CPC分类号： H01L29/408 , H01L29/0619 , H01L29/74
摘要： Bei einem isolationsdiffundierten Thyristor besteht die Aufgabe, einen geeigneten Randabschluß für die sperrenden pn-Übergänge anzugeben, der eine hohe Sperrspannung und einfache Herstellbarkeit ermöglicht.
Diese Aufgabe wird durch einen planarpassivierten Randabschluß für beide sperrenden pn-Übergänge gelöst, wobei für den pn-Übergang in Blockierrichtung zusätzlich feldbegrenzende Ringe vorgesehen sind.摘要翻译： 在隔离扩散晶闸管中，目的是为阻塞p-n结提供合适的外围端接，这将使高反向电压和简单的制造成为可能。 该目的通过具有用于阻挡p-n结的平面钝化的外围终端来实现，另外在阻挡方向上为p-n结提供场限制环。
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公开(公告)号：EP0361320A3
公开(公告)日：1991-03-27
申请号：EP89117502.8
申请日：1989-09-21
IPC分类号： H01L29/167
CPC分类号： H01L29/36 , H01L29/167 , H01L29/8611
摘要： Bei einer schnellen Diode, deren Sperrspannung der Volumendurchbruchspannung entspricht, besteht die Aufgabe, einen einfach herzustellenden Randabschluß anzugeben. Diese Aufgabe wird durch gelöst, daß in einem oberflächennahen Bereich einer niedrigdotierten n-leitenden Schicht entweder eine Kompensation der Dotierungskonzentration durch Golddiffusion oder eine anderweitige Veringerung der effektiven Dotierungskonzentartion herbeigeführt wird, wodurch sich eine laterale Ausdehnung der Raumladungszone ergibt und somit Feldstärkeüberhöhungen am pn-Übergang vermieden werden. Dadurch kann der pn-Übergang an der Oberfläche einfach planar passiviert werden, ohne zusätzliche Maßnahmen, wie z.B. eine Anordnung von Feldringen vorzusehen. Erfindungsgemäße Dioden finden hauptsächlich als Beschaltungsdioden zu abschaltenden Leistungshalbleiterbauelementen Anwendung.
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公开(公告)号：EP0361318A3
公开(公告)日：1990-06-13
申请号：EP89117500.2
申请日：1989-09-21
CPC分类号： H01L29/408 , H01L29/0619 , H01L29/74
摘要： Bei einem isolationsdiffundierten Thyristor besteht die Aufgabe, einen geeigneten Randabschluß für die sperrenden pn-Übergänge anzugeben, der eine hohe Sperrspannung und einfache Herstellbarkeit ermöglicht. Diese Aufgabe wird durch einen planarpassivierten Randabschluß für beide sperrenden pn-Übergänge gelöst, wobei für den pn-Übergang in Blockierrichtung zusätzlich feldbegrenzende Ringe vorgesehen sind.
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公开(公告)号：EP0364760A1
公开(公告)日：1990-04-25
申请号：EP89117482.3
申请日：1989-09-21
IPC分类号： H01L29/91
CPC分类号： H01L29/861 , H01L29/36
摘要： Bei einer isolationsdiffundierten bzw. einer mit Feldringen abgeschlossenen Leistungshalbleiterdiode ist die Aufgabe gestellt, die Eigenschaften hoher Sperrspannung, Avalanche-Festigkeit, schnelles und weiches Abschalten zu kombinieren und eine mit geringem technischem Aufwand herstellbare Ausführung anzugeben.
Diese Aufgabe wird bei einer isolationsdiffundierten Diode dadurch gelöst, daß der pn-Übergang (10) nicht in einem Passivierungsgraben, sondern direkt an einer ersten Hauptfläche (3) der Diode austritt und dort planar mit einer Passivierungsschicht (11) abgedeckt ist und außerdem im mittleren Bereich der Diode ein steiles Dotierungsprofil mit einem großen Gradienten der Dotierstoffkonzentration in der Nähe des pn-Übergangs vorgesehen ist.
Bei einer Diode mit Feldringen wird diese Aufgabe dadurch gelöst, daß sowohl der Randbereich (29) des Hauptübergangs als auch Feldringe (28) in einem gesonderten Diffusionsprozeß hergestellt werden, wodurch ein vom aktiven Teil des Bauelements abweichendes Dotierungsprofil eingestellt werden kann.摘要翻译： 在隔离扩散功率半导体二极管或以场环端接的功率半导体二极管中，目的是将高反向电压，雪崩电阻和快速平滑关断的特性组合起来，并提供可以是 产生的技术复杂性很小。 该目的在隔离扩散二极管中实现，因为pn结（10）不会出现在钝化沟槽中，而是直接在二极管的第一主表面（3）处，并以平面方式在该点处被覆盖 钝化层（11），并且另外在二极管的中心区域中提供在pn结附近具有高梯度掺杂浓度的陡峭掺杂分布。 在具有场环的二极管中，该目的的实现是，主结区的周边区域（29）和场环（28）都是在单独的扩散工艺中产生的，结果是掺杂分布与 组件的活动部分可以建立。
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公开(公告)号：EP0361320A2
公开(公告)日：1990-04-04
申请号：EP89117502.8
申请日：1989-09-21
IPC分类号： H01L29/167
CPC分类号： H01L29/36 , H01L29/167 , H01L29/8611
摘要： Bei einer schnellen Diode, deren Sperrspannung der Volumendurchbruchspannung entspricht, besteht die Aufgabe, einen einfach herzustellenden Randabschluß anzugeben.
Diese Aufgabe wird durch gelöst, daß in einem oberflächennahen Bereich einer niedrigdotierten n-leitenden Schicht entweder eine Kompensation der Dotierungskonzentration durch Golddiffusion oder eine anderweitige Veringerung der effektiven Dotierungskonzentartion herbeigeführt wird, wodurch sich eine laterale Ausdehnung der Raumladungszone ergibt und somit Feldstärkeüberhöhungen am pn-Übergang vermieden werden. Dadurch kann der pn-Übergang an der Oberfläche einfach planar passiviert werden, ohne zusätzliche Maßnahmen, wie z.B. eine Anordnung von Feldringen vorzusehen.
Erfindungsgemäße Dioden finden hauptsächlich als Beschaltungsdioden zu abschaltenden Leistungshalbleiterbauelementen Anwendung.摘要翻译： 在其反向电压等于体积击穿电压的快速二极管中，目的是提供一种易于制造的外围终端。 该目的通过在轻掺杂n型层的表面附近的区域中通过金扩散或有效掺杂浓度的某种其它降低来补偿掺杂浓度来实现，其结果是 避免了空间电荷区的横向延伸，从而避免了pn结处的场强超调。 结果，可以通过简单的平面装置在表面钝化p-n结，而不需要额外的措施，例如提供现场环。 根据本发明的二极管主要用作必须关闭的功率半导体器件的保护二极管。
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