Procédé et appareil permettant de développer un monocristal de GaAs, etc. utilisant les techniques de Czochralski. On obtient le diamètre voulu du cristal (1) au moyen d'un système de régulation à boucle fermée (9, 10, 24, 7, 6) faisant varier la température de fusion (4), en réponse à des signaux (9) W ou dW/dt de poids du cristal. L'invention injecte un signal St (22, 26) de test dans la boucle de régulation, et procède à un traitement (21) de signaux, par exemple par corrélation croisée, sur le signal test St et sur le signal de poids du cristal. L'amplitude maximum des valeurs de corrélation est relative à la forme du cristal croissant, et est utilisée par comparaison avec les valeurs de référence (24) pour commander la phase de croissance à partir du diamètre (16) du germe, jusqu'au diamètre intégral du cristal (1).