公开(公告)号：EP0366698A1

公开(公告)日：1990-05-09

申请号：EP88905927.0

申请日：1988-06-27

申请人： The National Research Development Corporation

发明人： HURLE, Donald, Thomas, James ,  JOYCE, Gordon, Charles ,  MCKELL, Kathryn, Elizabeth

IPC分类号： C30B15

CPC分类号： C30B15/28 ,  Y10T117/1008 ,  Y10T117/1032

摘要： Procédé et appareil permettant de développer un monocristal de GaAs, etc. utilisant les techniques de Czochralski. On obtient le diamètre voulu du cristal (1) au moyen d'un système de régulation à boucle fermée (9, 10, 24, 7, 6) faisant varier la température de fusion (4), en réponse à des signaux (9) W ou dW/dt de poids du cristal. L'invention injecte un signal St (22, 26) de test dans la boucle de régulation, et procède à un traitement (21) de signaux, par exemple par corrélation croisée, sur le signal test St et sur le signal de poids du cristal. L'amplitude maximum des valeurs de corrélation est relative à la forme du cristal croissant, et est utilisée par comparaison avec les valeurs de référence (24) pour commander la phase de croissance à partir du diamètre (16) du germe, jusqu'au diamètre intégral du cristal (1).