发明公开
EP0380091A1 Static memory circuit provided with improved bit line precharging circuit
失效
Statische Speicherschaltung mit verbesserter Bitleitungs-Vorladeschaltung。
- 专利标题： Static memory circuit provided with improved bit line precharging circuit
- 专利标题（中）： Statische Speicherschaltung mit verbesserter Bitleitungs-Vorladeschaltung。
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申请号： EP90101486.0申请日： 1990-01-25
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公开(公告)号： EP0380091A1公开(公告)日： 1990-08-01
- 发明人: Watanabe, Takayuki
- 申请人： NEC CORPORATION
- 申请人地址： 7-1, Shiba 5-chome Minato-ku Tokyo JP
- 专利权人： NEC CORPORATION
- 当前专利权人： NEC CORPORATION
- 当前专利权人地址： 7-1, Shiba 5-chome Minato-ku Tokyo JP
- 代理机构： Glawe, Delfs, Moll & Partner
- 优先权： JP16773/89 19890125
- 主分类号： G11C11/419
- IPC分类号： G11C11/419
摘要：
A static memory circuit provided with an improved bit line precharge circuit (Q p1 - Q p3 ) includes a control circuit which disenables a bit line pull-up circuit (Q p4 , Q p5 ) during a first period through which one of the word lines (WL₁ - WL n ) to be selected performs a potential change to a selective level and enables the pull-up circuit during other period than the first period.
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