发明公开
EP0385829A1 Procédé d'élaboration de moyens de connexion électrique, en particulier de substrats d'interconnexion de circuits hybrides
失效
处理的方法，装置，用于在用于彼此连接混合电路特定底物的电连接。
- 专利标题： Procédé d'élaboration de moyens de connexion électrique, en particulier de substrats d'interconnexion de circuits hybrides
- 专利标题（英）： Method for the elaboration of electrical connecting means, especially of interconnecting substrata for hybrid circuits
- 专利标题（中）： 处理的方法，装置，用于在用于彼此连接混合电路特定底物的电连接。
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申请号： EP90400445.4申请日： 1990-02-19
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公开(公告)号： EP0385829A1公开(公告)日： 1990-09-05
- 发明人: Rotman, Frédéric, Teisan K.K. , Navarro, Dominique , Mellul, Sylvie
- 申请人： L'AIR LIQUIDE, SOCIETE ANONYME POUR L'ETUDE ET L'EXPLOITATION DES PROCEDES GEORGES CLAUDE
- 申请人地址： 75, Quai d'Orsay F-75321 Paris Cédex 07 FR
- 专利权人： L'AIR LIQUIDE, SOCIETE ANONYME POUR L'ETUDE ET L'EXPLOITATION DES PROCEDES GEORGES CLAUDE
- 当前专利权人： L'AIR LIQUIDE, SOCIETE ANONYME POUR L'ETUDE ET L'EXPLOITATION DES PROCEDES GEORGES CLAUDE
- 当前专利权人地址： 75, Quai d'Orsay F-75321 Paris Cédex 07 FR
- 代理机构： Le Moenner, Gabriel
- 优先权： FR8902172 19890220
- 主分类号： H05K3/12
- IPC分类号： H05K3/12
摘要：
L'invention concerne un procédé d'élaboration de substrats d'interconnexion de circuits hybrides, du genre où l'on effectue sur un support le dépôt d'une couche épaisse d'encre ou pâte à base de métal non noble tel que le cuivre ou autre matériau à formulation "compatible cuivre", en mettant en oeuvre successivement un séchage préliminaire d'élimination des solvants à une température de l'ordre de 100°C à 150°C, une cuisson comprenant :
a) une montée en température incorporant une phase d'élimination de résines polymères,
b) un palier de frittage à une température de l'ordre de 600°C à 1000°C, et
c) un refroidissement temporisé.
ladite cuisson étant effectuée sous atmosphère de gaz substantiellement inerte (azote et/ou argon et/ou hélium), l'atmosphère de la phase d'élimination des polymères présentant une teneur en vapeur d'eau inférieure à 15000 ppm, de préférence comprise entre 1000 et 10000 ppm, alors que l'atmosphère de frittage à haute température présente une teneur en vapeur d'eau en tout cas inférieure à 1000 ppm.
a) une montée en température incorporant une phase d'élimination de résines polymères,
b) un palier de frittage à une température de l'ordre de 600°C à 1000°C, et
c) un refroidissement temporisé.
ladite cuisson étant effectuée sous atmosphère de gaz substantiellement inerte (azote et/ou argon et/ou hélium), l'atmosphère de la phase d'élimination des polymères présentant une teneur en vapeur d'eau inférieure à 15000 ppm, de préférence comprise entre 1000 et 10000 ppm, alors que l'atmosphère de frittage à haute température présente une teneur en vapeur d'eau en tout cas inférieure à 1000 ppm.
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