发明公开
EP0419692A1 Infrarot-Detektor und Herstellungsverfahren dazu
失效
Infrarot-Detektor和Herstellungsverfahren dazu。
- 专利标题： Infrarot-Detektor und Herstellungsverfahren dazu
- 专利标题（英）： Infrared detector and its manufacturing process
- 专利标题（中）： Infrarot-Detektor和Herstellungsverfahren dazu。
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申请号： EP89117692.7申请日： 1989-09-25
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公开(公告)号： EP0419692A1公开(公告)日： 1991-04-03
- 发明人: Münzer, Adolf, Dipl.-Phys.
- 申请人： SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT
- 申请人地址： Wittelsbacherplatz 2 D-80333 München DE
- 专利权人： SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT
- 当前专利权人： SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT
- 当前专利权人地址： Wittelsbacherplatz 2 D-80333 München DE
- 主分类号： H01L31/103
- IPC分类号： H01L31/103 ; H01L31/109
摘要：
Ein Infrarot-Halbleiter-Detektor mit einem ladungstrennenden pn-Übergang soll mit geringem Aufwand und mit geringen Kosten hergestellt werden können. Der ladungstrennende pn-Übergang ist näher an der dem Lichteinfall abgewandten Seite des Detektors als an der dem Lichteinfall zugewandten Seite des Detektors angeordnet.
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