Method of forming a localized buried isolation structure

发明授权

EP0460440B1 Method of forming a localized buried isolation structure 失效

标题翻译：产生局部掩埋隔离结构的方法

专利标题： Method of forming a localized buried isolation structure
专利标题（中）： 产生局部掩埋隔离结构的方法
申请号： EP91108017.4

申请日： 1991-05-17
公开(公告)号： EP0460440B1

公开(公告)日： 1997-07-30
发明人: Aronowitz, Sheldon , Hart, Courtney L. , Buynoski, Matthew
申请人： NATIONAL SEMICONDUCTOR CORPORATION
申请人地址： 2900 Semiconductor Drive P.O. Box 58090 Santa Clara California 95051-8090 US
专利权人： NATIONAL SEMICONDUCTOR CORPORATION
当前专利权人： NATIONAL SEMICONDUCTOR CORPORATION
当前专利权人地址： 2900 Semiconductor Drive P.O. Box 58090 Santa Clara California 95051-8090 US
代理机构： Sparing Röhl Henseler Patentanwälte
优先权： US531509 19900531
主分类号： H01L21/266
IPC分类号： H01L21/266 ; H01L21/76 ; H01L21/316

公开/授权文献

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IPC分类:

H	电学
H01	基本电气元件
H01L	半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中使用的半导体器件见应用相关的小类）
H01L21/00	专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02	.半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04	..至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18	...器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/26	....用波或粒子辐射轰击的
H01L21/263	.....带有高能辐射的（H01L21/261优先）
H01L21/265	......产生离子注入的
H01L21/266	.......应用掩膜的