发明授权
- 专利标题： Semiconductor device equipped with a high-voltage misfet
- 专利标题（中）： 配备有高电压的半导体装置MISFET
-
申请号： EP92306642.7申请日： 1992-07-20
-
公开(公告)号： EP0524030B1公开(公告)日： 2001-05-23
- 发明人: Fujihira, Tatsuhiko
- 申请人： FUJI ELECTRIC CO. LTD.
- 申请人地址： 1-1, Tanabeshinden, Kawasaki-ku Kawasaki 210 JP
- 专利权人： FUJI ELECTRIC CO. LTD.
- 当前专利权人： FUJI ELECTRIC CO. LTD.
- 当前专利权人地址： 1-1, Tanabeshinden, Kawasaki-ku Kawasaki 210 JP
- 代理机构： Carmichael, David Andrew Halliday
- 优先权： JP17985991 19910719
- 主分类号： H01L27/088
- IPC分类号： H01L27/088 ; H01L29/08
公开/授权文献
- EP0524030A3 Semiconductor device equipped with a high-voltage misfet 公开/授权日：1995-03-22
信息查询
IPC分类:
