发明公开
EP0571692A1 EPROM cell with a readily scalable down interpoly dielectric
失效
EPROM-Zelle mit Dielektricum zwischen Polysiliziumschichten，das leicht in kleinen Dimensionen herstellbar ist。
- 专利标题： EPROM cell with a readily scalable down interpoly dielectric
- 专利标题（中）： EPROM-Zelle mit Dielektricum zwischen Polysiliziumschichten，das leicht in kleinen Dimensionen herstellbar ist。
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申请号： EP92830266.0申请日： 1992-05-27
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公开(公告)号： EP0571692A1公开(公告)日： 1993-12-01
- 发明人: Clementi, Cesare , Ghidini, Gabriella , Tosi, Marina
- 申请人： SGS-THOMSON MICROELECTRONICS S.r.l.
- 申请人地址： Via C. Olivetti, 2 I-20041 Agrate Brianza (Milano) IT
- 专利权人： SGS-THOMSON MICROELECTRONICS S.r.l.
- 当前专利权人： SGS-THOMSON MICROELECTRONICS S.r.l.
- 当前专利权人地址： Via C. Olivetti, 2 I-20041 Agrate Brianza (Milano) IT
- 代理机构： Pellegri, Alberto
- 主分类号： H01L21/28
- IPC分类号： H01L21/28 ; H01L29/62
摘要：
The use of an O-N-RTN (Oxide-Nitride-Rapid Thermal Nitrided Polysilicon) interpoly dielectric multilayer instead of a customary O-N-O (Oxide-Nitride-Oxide) multilayer in the floating gate structure of a progammable, read-only memory cell has beneficial effects on the performance of the cell and facilitates its scaling down.
公开/授权文献
- EP0571692B1 EPROM cell with a readily scalable down interpoly dielectric 公开/授权日：1998-07-22
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