发明公开
- 专利标题: Speicherelement
- 专利标题(英): Memory element
- 专利标题(中): Speicherelement。
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申请号: EP93113494.4申请日: 1993-08-24
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公开(公告)号: EP0588111A2公开(公告)日: 1994-03-23
- 发明人: Delker, Klaus, Ing. grad.
- 申请人: SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT
- 申请人地址: Wittelsbacherplatz 2 D-80333 München DE
- 专利权人: SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT
- 当前专利权人: SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT
- 当前专利权人地址: Wittelsbacherplatz 2 D-80333 München DE
- 优先权: DE4231178 19920917
- 主分类号: G11C11/411
- IPC分类号: G11C11/411 ; G11C7/00 ; G11C11/416
摘要:
Die Erfindung betrifft ein Speicherelement in Stromschaltertechnik mit einem ersten, einem zweiten und einem dritten Transistorpaar mit jeweils emittergekoppelten Transistoren. Das zweite und dritte Transistorpaar ist in den Kollektorkreis jeweils eines der Transistoren (1, 2) des ersten Transistorpaares geschaltet. In die paarweise gekoppelten Kollektorenkreise der Transistoren (3, 5; 4, 6) des zweiten und dritten Transistorpaares sind jeweils ein erster Widerstand (16, 17), die Kollektor-Emitter-Strecke eines weiteren Transistors (7, 8) und ein zweiter Widerstand (18, 19) mit kollektorseitig angeordnetem Ausgangssignalanschluß geschaltet. Der Kollektor eines Transistors (31) eines vierten als Stromschalter geschalteten Transistorpaares ist mit der Basis eines der weiteren Transistoren (8) verbunden. Das Setzen bzw. Rücksetzen des Speicherelementes wird mittels des vierten Transistorpaares ermöglicht, ohne daß die kapazitive Belastung des Signalpfades des Speicherelementes erhöht wird.
公开/授权文献
- EP0588111B1 Speicherelement 公开/授权日:1997-12-03
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