发明授权
- 专利标题： A method of fabricating a field emitter
- 专利标题（中）： 一种制造场致发射体阵列的方法
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申请号： EP94111066.0申请日： 1994-07-15
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公开(公告)号： EP0637050B1公开(公告)日： 1999-12-22
- 发明人: Hori, Yoshikazu , Koga, Keisuke
- 申请人： MATSUSHITA ELECTRIC INDUSTRIAL CO., LTD.
- 申请人地址： 1006, Oaza Kadoma Kadoma-shi, Osaka-fu, 571 JP
- 专利权人： MATSUSHITA ELECTRIC INDUSTRIAL CO., LTD.
- 当前专利权人： MATSUSHITA ELECTRIC INDUSTRIAL CO., LTD.
- 当前专利权人地址： 1006, Oaza Kadoma Kadoma-shi, Osaka-fu, 571 JP
- 代理机构： Kovacs, Paul
- 优先权： JP17645093 19930716; JP26458493 19931022; JP9139794 19940428
- 主分类号： H01J9/02
- IPC分类号： H01J9/02 ; H01J1/30
公开/授权文献
- EP0637050A3 A method of fabricating a field emitter 公开/授权日：1996-04-03
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