发明授权
EP0747513B1 PROCESS FOR PROCEEDING A SILICON SINGLE CRYSTAL WITH LOW DEFECT DENSITY
失效
用于生产SILIZIUMEINKRISTALLES与NIEDIGER错误密度
- 专利标题： PROCESS FOR PROCEEDING A SILICON SINGLE CRYSTAL WITH LOW DEFECT DENSITY
- 专利标题（中）： 用于生产SILIZIUMEINKRISTALLES与NIEDIGER错误密度
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申请号： EP96303989.6申请日： 1996-06-03
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公开(公告)号： EP0747513B1公开(公告)日： 1999-09-15
- 发明人: Takano, Kiyotaka , Kitagawa, Kouji , Iino, Eiichi , Kimura, Masanori , Yamagishi, Hirotoshi , Sakurada, Masahiro
- 申请人： SHIN-ETSU HANDOTAI COMPANY LIMITED
- 申请人地址： 4-2, Marunouchi 1-Chome Chiyoda-ku Tokyo JP
- 专利权人： SHIN-ETSU HANDOTAI COMPANY LIMITED
- 当前专利权人： SHIN-ETSU HANDOTAI COMPANY LIMITED
- 当前专利权人地址： 4-2, Marunouchi 1-Chome Chiyoda-ku Tokyo JP
- 代理机构： Cooper, John
- 优先权： JP14339195 19950609
- 主分类号： C30B15/00
- IPC分类号： C30B15/00 ; C30B29/06
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